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奇碼數(shù)字信息有限公司筆試題
1.畫出NMOS的特性曲線(指明飽和區(qū),截至區(qū),線性區(qū),擊穿區(qū)和C-V曲線)2.2.2um工藝下,Kn=3Kp,設(shè)計(jì)一個(gè)反相器,說出器件尺寸。
3.說出制作N-well的工藝流程。
4.雪崩擊穿和齊納擊穿的機(jī)理和區(qū)別。
5.用CMOS畫一個(gè)D觸發(fā)器(clk,d,q,q-)。
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