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t430更換固態(tài)硬盤(pán)
現(xiàn)在很流行固態(tài)硬盤(pán),固態(tài)硬盤(pán)傳輸速度快,給電腦加裝后開(kāi)機(jī)速度明顯提升,那么怎么在原硬盤(pán)位更換固態(tài)硬盤(pán)呢。下面小編就介紹一下怎么給T430更換固態(tài)硬盤(pán)。
工具
固態(tài)硬盤(pán)
筆記本電腦
方法
更換固態(tài)硬盤(pán)可以在光驅(qū)位更換也可以在原硬盤(pán)位更換,但是為了保證電腦更加穩(wěn)定所以我們一半把作為系統(tǒng)盤(pán)的固態(tài)硬盤(pán)放到原光驅(qū)位。
首先我們先關(guān)閉電腦,拿下電池,保證電腦不在通電狀態(tài):
T430的原硬盤(pán)在這個(gè)位置,如圖,我們只需用螺絲刀拆下這顆螺絲,拿下外盒即可(螺絲是和部件緊密連接的,所以螺絲松掉后可以慢慢活動(dòng)機(jī)殼拿下),把途中唯一畫(huà)圈的螺絲擰松(硬盤(pán)蓋上的),注意:螺絲取不下來(lái)。
拆掉后。
下圖圈住的黑色拉帶,默認(rèn)放在硬盤(pán)的上下縫隙里,將其取出,拉出硬盤(pán)即可。
原硬盤(pán)拿出后如圖所示(兩側(cè)長(zhǎng)條為橡皮護(hù)墊):
把兩側(cè)螺絲擰松,在支架上取下固定的硬盤(pán),如圖所示。
安裝固態(tài)硬盤(pán)到支架,把橡膠護(hù)墊固定后。
原位安裝即可。
然后在新的固態(tài)硬盤(pán)上安裝系統(tǒng)即可。
安裝的固態(tài)硬盤(pán)做系統(tǒng)盤(pán)后,開(kāi)機(jī)速度。
固態(tài)硬盤(pán)介紹
一、閃存的類(lèi)型
閃存芯片中,除了我們耳熟能祥的SLC、MLC、TLC以外,還有一種叫QLC閃存芯片。
SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單但是執(zhí)行效率高,最大的特點(diǎn)就是速度快,壽命長(zhǎng),價(jià)格超貴(約MLC 3倍以上的價(jià)格),約10萬(wàn)次擦寫(xiě)壽命。
MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,其有00,01,10,11四個(gè)充電值。因此,要比SLC需要更多的訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間。其最大特點(diǎn)就是速度中等,壽命中等,價(jià)格比SLC便宜,約3000---10000次擦寫(xiě)壽命。
TLC = Trinary-Level Cell,即3bit/cell,每個(gè)單元可以存放比MLC多1/2的數(shù)據(jù),共八個(gè)充電值,111、110、101、011、010、001、000。最大特點(diǎn)就是速度慢壽命短,約500-1000次擦寫(xiě)壽命,但價(jià)格是三者最低的。
QLC = Quad-Level Cell,我們知道,TLC閃存是每個(gè)Cell單元存儲(chǔ)3位電荷,有8種狀態(tài),QLC閃存則是存儲(chǔ)4位電荷,有16種狀態(tài)。這意味著QLC閃存單位存儲(chǔ)密度更大,是TLC的2倍,單顆芯片可達(dá)到256GB甚至512GB。但是,也因如此,QLC閃存的電壓更難控制,寫(xiě)入速度更低,可靠、穩(wěn)定性及壽命比TLC更差。
二、固態(tài)硬盤(pán)怎么存儲(chǔ)
同機(jī)械硬盤(pán)原理區(qū)別很大,固態(tài)硬盤(pán)是用NAND Flash來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。NAND Flash在物理結(jié)構(gòu)上是由一個(gè)一個(gè)的“塊”組成。每個(gè)塊都有一定的擦除壽命(P/E),當(dāng)擦除壽命達(dá)到時(shí),這個(gè)塊就會(huì)損壞了。不知道大家注意沒(méi)有,現(xiàn)在的固態(tài)硬盤(pán)和機(jī)械硬盤(pán)不同,容量都是120GB、240GB、480GB、960GB,而不是我們通常理解的128GB、256GB、512GB、960GB。近似規(guī)格的容量,其實(shí)都是用來(lái)校驗(yàn)數(shù)據(jù)和備份冗余這些“塊”的。
理論上,TLC閃存是為了能夠支持100TB級(jí)別的固態(tài)硬盤(pán)而設(shè)計(jì)出來(lái)的閃存結(jié)構(gòu)(密度大),當(dāng)然,這僅僅是理論支持而已,成本上依然不能讓普通用戶(hù)接受。所以存儲(chǔ)密度更大的QLC出現(xiàn),就是進(jìn)一步加強(qiáng)固態(tài)硬盤(pán)容量的技術(shù)變革。小編預(yù)測(cè)QLC閃存的固態(tài)硬盤(pán)推出時(shí),將是真正TB(960GB)級(jí)別固態(tài)硬盤(pán)走向普及的第一步(當(dāng)然不要幻想和機(jī)械硬盤(pán)同量同價(jià)哦)。而且在超大容量面前,寫(xiě)入次數(shù)少的問(wèn)題也可以依靠更多的冗余來(lái)彌補(bǔ),更何況擦除壽命這個(gè)事兒,本身就沒(méi)什么可擔(dān)心的。
三、固態(tài)硬盤(pán)能寫(xiě)多少
根據(jù)NAND Flash的類(lèi)型不同,擦除壽命P/E也不相同,目前存在的NAND Flash分為SLC、MLC、TLC三種類(lèi)型,加上即將出現(xiàn)的QLC一共是四種。三種類(lèi)型的閃存P/E分別為SLC 5000~10000次,MLC 1000~3000次,TLC 500~1000次。QLC有多少呢?根據(jù)現(xiàn)在的說(shuō)法,QLC結(jié)構(gòu)的閃存P/E只有150次。150次那不是完全不能用嗎?別擔(dān)心,技術(shù)在進(jìn)步,這只是初期的技術(shù)驗(yàn)證產(chǎn)物,后續(xù)肯定會(huì)改良。別忘了TLC剛剛上市的時(shí)候,P/E不過(guò)500次而已。
在這里,小編還要給大家解除一個(gè)誤區(qū),很多人說(shuō)寫(xiě)入次數(shù)太少了肯定壽命短,但是這個(gè)長(zhǎng)短的概念可真不是單純字面理解的1000次、3000次什么的。舉個(gè)實(shí)際點(diǎn)的例子吧,小編的120GB固態(tài)硬盤(pán)是TLC的,按照1000次的P/E寫(xiě)入次數(shù)計(jì)算,這塊硬盤(pán)的寫(xiě)入總量應(yīng)該是120×1000=120000GB,如果是每天寫(xiě)滿(mǎn)120GB,那么它的壽命理論是2.7年。是不是感覺(jué)很少呢?
這就是問(wèn)題所在,說(shuō)說(shuō)結(jié)果吧,從今年1月3日開(kāi)始使用這塊固態(tài)硬盤(pán),目前為止接近半年時(shí)間(180天)總計(jì)寫(xiě)入量為2413GB,相當(dāng)于平均每天只寫(xiě)入了13.4GB,距離理論每天寫(xiě)滿(mǎn)120GB差了將近10倍,2.7年的所謂理論壽命是不是毫無(wú)意義了?
四、固態(tài)硬盤(pán)壽命殺手究竟是誰(shuí)
與其擔(dān)心寫(xiě)入量的問(wèn)題會(huì)影響固態(tài)硬盤(pán)壽命,不如擔(dān)心一下固態(tài)硬盤(pán)壽命的真正殺手——過(guò)熱和突然斷電。因?yàn)楣虘B(tài)硬盤(pán)是用電信號(hào)擦除寫(xiě)入數(shù)據(jù),所以突然斷電對(duì)固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)非常嚴(yán)重的事情,頻繁的突然斷電可能會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失,包括已寫(xiě)入保存的數(shù)據(jù)!這和機(jī)械硬盤(pán)是有本質(zhì)區(qū)別的。所謂突然斷電,比如說(shuō)停電、硬關(guān)機(jī)這類(lèi)都屬于斷電范疇。
另一個(gè)壽命殺手就是過(guò)熱了,固態(tài)硬盤(pán)其實(shí)耐熱能力不如機(jī)械硬盤(pán),過(guò)熱會(huì)極大縮短固態(tài)硬盤(pán)中閃存顆粒的壽命,這是因?yàn)殡娮有酒瑫?huì)因?yàn)檫^(guò)熱產(chǎn)生一種叫做電子遷移的現(xiàn)象,說(shuō)白一點(diǎn)就是加速老化,從物理結(jié)構(gòu)上造成不可逆的壽命損傷,如果長(zhǎng)時(shí)間高強(qiáng)度使用固態(tài)硬盤(pán),再加上散熱工作不到位,就很容易造成固態(tài)硬盤(pán)過(guò)熱,就小編的看法,這遠(yuǎn)比關(guān)心閃存顆粒的擦寫(xiě)次數(shù)更值得關(guān)注。
QLC雖說(shuō)速度、壽命、穩(wěn)定性等方面比TLC差,但是更便宜的成本、更大容量的優(yōu)勢(shì)是無(wú)法忽視的。就像當(dāng)年TLC從不被接納到廣泛認(rèn)可,目前QLC閃存處于研發(fā)階段,要想它能夠運(yùn)用到SSD上還需要一段時(shí)間,技術(shù)的進(jìn)步,大家擔(dān)心的固態(tài)硬盤(pán)壽命有多長(zhǎng)的問(wèn)題相信都會(huì)得到很好的解決的。
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