材料學(xué)專業(yè)開題報(bào)告

　　寫開題報(bào)告前應(yīng)該做好資料收集，寫好文獻(xiàn)綜述，為論文開題報(bào)告打好基礎(chǔ)。以下是yjbys小編分享的材料學(xué)專業(yè)開題報(bào)告，歡迎閱讀借鑒。

　　1.論文題目：zno壓電薄膜制造瓷磚的研究

　　2.選題意義：

　　2.1理論意義

　　根據(jù)當(dāng)前的物理尖端技術(shù)，利用壓電陶瓷的特性，利用真空制膜機(jī)，使用zno等材料制成可以將壓力轉(zhuǎn)化成電能的壓電薄膜。

　　2.2實(shí)踐意義

　　將壓電薄膜添加在瓷磚中，鋪設(shè)在火車站，飛機(jī)場等人流量大的地方，從而將人們走過的壓力轉(zhuǎn)化成電能以供給照明的用處從而達(dá)到節(jié)能減排的效果。

　　3.文獻(xiàn)綜述

　　3.1查閱的文獻(xiàn)類型

　　主要有：書籍、期刊

　　3.2文獻(xiàn)查閱的方法

　　主要有：圖書館、CNKI、維普、萬方

　　3.3參考的著作

　　1.《ZnO壓電薄膜的制備與性能表征》

　　作者：許恒星，王金良，唐寧，彭洪勇，范超 于2009年8月第38卷第4期《人工晶體學(xué)報(bào)》

　　摘要：采用射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜。利用x射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、壓電響應(yīng)力顯微鏡(PFM)等儀器研究了薄膜成分，表面形貌和壓電性質(zhì)。結(jié)果表明：實(shí)驗(yàn)制備的ZnO薄膜具有很好的壓電性質(zhì)，C軸取向和表面粗糙度對薄膜壓電特性有很大影響，高度c軸取向生長和表面粗糙度較小的ZnO薄膜表現(xiàn)出更好的壓電性質(zhì)

　　2.《陶瓷薄膜制備及應(yīng)用》

　　作者：盧旭晨;李佑楚;韓鎧;王風(fēng)鳴; 于1999期06版《材料導(dǎo)報(bào)》

　　摘要：對各種薄膜制備方法的特點(diǎn)(即物理方法、化學(xué)方法)進(jìn)行闡述，并且從氧化物和非氧化物的角度，綜述了陶瓷薄膜作為硬質(zhì)薄膜、氣敏薄膜以及鐵電、壓電等微電子薄膜的應(yīng)用。

　　3.《0-3型壓電陶瓷/聚合物復(fù)合材料的制備工藝新進(jìn)展》

　　作者：李小兵;田蒔;張躍; 于2001年04期《功能材料》

　　摘要：03型壓電陶瓷/聚合物復(fù)合材料具有單相壓電陶瓷或聚合物所不具備的良好的綜合性能,因此引起了人們廣泛的興趣和研究。本文綜述了03型壓電復(fù)合材料的制備工藝及相應(yīng)復(fù)合材料的壓電性能,重點(diǎn)介紹了水解聚合法、凝聚膠體法、溶液聚合法3種新型制備工藝,簡要分析各種制備工藝的優(yōu)缺點(diǎn),為壓電陶瓷/聚合物復(fù)合材料(甚至是納米級(jí)壓電復(fù)合材料)的進(jìn)一步研究、開發(fā)和應(yīng)用提供依據(jù)。

　　4.《用PLD法制備聲表面波器件用ZnO薄膜》

　　作者：劉彥松;王連衛(wèi);李偉群;黃繼頗;林成魯; 于2001年01期《功能材料》

　　摘要：采用脈沖激光淀積(PLD)法在單晶Si(100)襯底上淀積了ZnO薄膜。XRD、TEM和AFM分析表明,淀積的ZnO薄膜具有良好的c軸取向性和表面平整度。通過改變淀積氣氛或在純氧中高溫退火,ZnO薄膜的電阻率提高到107Ω·cm.這些結(jié)果表明,用PLD法淀積的ZnO薄膜能夠滿足聲表面波(SAW)器件的需要。

　　5.《ZnO薄膜及其性能研究進(jìn)展》

　　作者：黃焱球;劉梅冬;曾亦可;劉少波; 于2001年03期《無機(jī)材料學(xué)報(bào)》

　　摘要：ZnO薄膜是一種具有優(yōu)良的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質(zhì)的材料，在透明導(dǎo)體、發(fā)光元件、太陽能電池窗口材料、光波導(dǎo)器、單色場發(fā)射顯示器材料、高頻壓電轉(zhuǎn)換器、表面聲波元件、微傳感器以及低壓壓敏電阻器等方面具有廣泛的用途。ZnO薄膜的制備方法多樣，各具優(yōu)缺點(diǎn);而薄膜性質(zhì)的差異則取決于不同的摻雜組分，并與制備工藝緊密相關(guān)。本文綜述了ZnO薄膜的制備及性質(zhì)特征，并對其發(fā)展趨勢及前景進(jìn)行了探討。

　　4.研究設(shè)計(jì)

　　4.1概念界定

　　zno壓電薄膜：ZnO薄膜是一種具有優(yōu)良的壓電、光電、氣敏、壓敏等性質(zhì)的材料，在透明導(dǎo)體、發(fā)光元件、太陽能電池窗口材料、光波導(dǎo)器、單色場發(fā)射顯示器材料、高頻壓電轉(zhuǎn)換器、表面聲波元件、微傳感器以及低壓壓敏電阻器等方面具有廣泛的用途

　　瓷磚：是以耐火的金屬氧化物及半金屬氧化物，經(jīng)由研磨、混合、壓制、施釉、燒結(jié)之過程，而形成之一種耐酸堿的瓷質(zhì)或石質(zhì)等之建筑或裝飾之材料，總稱之為瓷磚。其原材料多由粘土、石英沙等等混合而成。

　　4.2研究假設(shè)

　　通過采用射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜可以做到將壓力轉(zhuǎn)換為電能的效果。

　　4.3研究內(nèi)容

　　4.3.1查閱論文期刊，從理論上分析出可以利用zno制作出壓電薄膜;

　　4.3.2通過借助我們的指導(dǎo)教師任岳導(dǎo)師實(shí)驗(yàn)室中的射頻磁控濺射法在硅(100)襯底上制備高質(zhì)量的ZnO壓電薄膜

　　4.3.3檢測制作的zno壓電薄膜導(dǎo)電能力并結(jié)合到瓷磚中從而利用到實(shí)踐中。

　　4.4研究方法

　　文獻(xiàn)法、實(shí)驗(yàn)法、觀察法等，通過理論加實(shí)驗(yàn)分析相結(jié)合的方法，利用到學(xué)校的一些地方加以檢驗(yàn)。

　　4.5研究步驟

　　查閱資料→理論分析→射頻磁控濺射制作薄膜→驗(yàn)證轉(zhuǎn)化效率→結(jié)合瓷磚→實(shí)際檢測→得出結(jié)論

　　5.結(jié)論

　　通過研究發(fā)現(xiàn)可以實(shí)現(xiàn)將壓力轉(zhuǎn)化為電能，但效率比較低，可以進(jìn)一步研究通過zno和其他材料相結(jié)合的或者通過合理布局瓷磚設(shè)計(jì)從而提高轉(zhuǎn)化以及利用效率。

　　6.參考文獻(xiàn)

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　　[4]鄧允棣。氧化鋅摻雜的研究進(jìn)展[J].科協(xié)論壇，2007,7(2)：50-51

　　[5]許小紅，武海順。壓電薄膜的制備、結(jié)構(gòu)與應(yīng)用[M].北京：科學(xué)出版社，2002.

　　[6]賀洪波，范正修。C軸擇優(yōu)取向ZnO薄膜的濺射工藝與結(jié)構(gòu)研究[J].功能材料，2000,31(增刊)：77.78

　　[7]包定華，張良瑩，姚熹。薄膜壓電性能的測量方法[J].硅酸鹽通報(bào)，1999,18(3)：18-22

　　[8]馬孜，呂百達(dá)。光學(xué)薄膜表面形貌的原子力顯微鏡觀察[J].電子顯微學(xué)報(bào)，2000,19(5)：lO一13.

　　[9]滕風(fēng)恩，煜明，姜小龍，等。x射線結(jié)構(gòu)分析與材料性能表征[M].北京：科學(xué)出版社，1997:25-40

　　[10]林鴻溢，張焱，丁世昌，等。納米ZnO薄膜制備技術(shù)及其特性的研究[J].北京理工大學(xué)學(xué)報(bào)，1995,15(2)：132-137.

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