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實(shí)驗(yàn)名稱:橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率(一)

時(shí)間:2023-03-07 07:52:57 自動化畢業(yè)論文 我要投稿
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實(shí)驗(yàn)名稱:橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率(一)

 

引言:
 橢圓偏振法廣泛地應(yīng)用于固體基片上介質(zhì)薄膜的測量。在己有測定薄膜厚度的方法中,它是能測量到最薄和精度最高的一類。測量范圍從0. 1 nm到幾個(gè)μm,比干涉法測量精度高一個(gè)數(shù)量級以上。它能同時(shí)測量薄膜厚度和折射率。
       橢圓偏振法應(yīng)用范圍廣泛,它是表面科學(xué)研究的一個(gè)重要工具。本實(shí)驗(yàn)通過測量若干介質(zhì)薄膜的厚度和折射率,掌握橢園偏振法測量原理和方法。
 實(shí)驗(yàn)名稱:橢圓偏振法測量薄膜厚度和折射率 實(shí)驗(yàn)日期:2006年3月29日 
姓名:王燦輝 學(xué)號:03071024 Class:Physics 

實(shí)驗(yàn)原理:
 當(dāng)一束光以一定的入射角射到一個(gè)薄膜系統(tǒng)的表面時(shí),光要在多層介質(zhì)膜的交界面發(fā)生多次反射和折射。反射束的振幅和位相變化與薄膜的厚度和折射率有關(guān)。如果入射束采用橢圓偏振光,例如把激光器發(fā)出的單色光變成橢圓偏振光投射到樣品表面,則只要觀測反射偏振光狀態(tài)的變化(包括振幅和位相),就可以定出膜層的厚度和折射率。
 設(shè)在硅片表面上復(fù)蓋均勻透明的同性薄膜系統(tǒng),如下圖所示,Φ0為入射角,Φ1和Φ2為薄膜和襯底的折射角,no為空氣折射率,n1為薄膜折射率,n2為襯底折射率。入射光在兩個(gè)界面來回反射和折射,總反射光由多光束合成。把光的電矢量和磁矢量各分為兩個(gè)分量,把光波在入射面上的分量稱為P波,垂直入射面的稱S波。由菲涅爾反射公式,可以給出P波和S波的振幅反射系數(shù)(rP, rS)。對空氣一薄膜界面(I):

根據(jù)折射定律,Φ1和Φ0應(yīng)滿足下面關(guān)系:

對薄膜硅襯底界面(II),同理有如上述確定的關(guān)系式。進(jìn)而可以算出,任意兩相鄰反射光間的光程差:

由此光程差引起的相鄰兩級反射光的位相差為2δ,則:

由于薄膜上下表面對光多次反射和折射,我們在空氣中看到的是多次反射光相干疊加的結(jié)果。引入P波、S波的總振幅反射系數(shù):
  
根據(jù)多光束干涉理論,我們可以求得總振幅反射系數(shù):

定義Ψ,△兩個(gè)參數(shù):
 Ψ和△具有角度的量綱,稱為橢偏角。tgΨ表征反射光對入射光相對振幅的變化,稱為振幅衰減比或相對振幅衰減!鞅碚鹘(jīng)過整個(gè)薄膜系統(tǒng)后,P波和S波的位相移動之差,△P和△S表示P波和S波各自的位相移動值,θP和θS表示P波S波的位相。用G表示反射系數(shù)比。
 
此式稱為橢圓偏振方程,它表示薄膜厚度d和折射率n;與光偏振狀態(tài)的變化(Ψ,△)之
間的關(guān)系。薄膜厚度和折射率的測量歸結(jié)為反射系數(shù)比的測量。橢偏法測量薄膜厚度和折射率的基本原理就是由實(shí)驗(yàn)測得Ψ和△,再由以上關(guān)系定出薄膜厚度d和折射率n1。Ψ,△兩個(gè)參數(shù)定義式包含多個(gè)物理量,測量比較復(fù)雜。為了使問題簡化,通常把實(shí)驗(yàn)條件作某些限制:
 (1)使入射光為等幅橢圓偏振光,P波和S波振幅相等。這樣,Ψ只與反射光的振幅比有關(guān),可從檢偏器方位角算出。
 (2)使反射光為線偏振光,即反射光P波和S波的位相差。這樣△只與入射光的P波,S波的位相差有關(guān),可從起偏器方位角算出。
實(shí)驗(yàn)儀器和實(shí)驗(yàn)方法
 橢圓偏振光測厚儀簡略的結(jié)構(gòu)圖及光路圖如下圖:
 
圖中,由于生波片與入射面成450傾斜,故入射光為等幅橢圓偏振光。

    測量原理和方法如下:激光器發(fā)射的單色自然光,經(jīng)起偏器變成線偏振光,復(fù)經(jīng)補(bǔ)
償器(1/4波長片)將線偏振光橢圓偏振光,再射到待測樣品表面。反射光通過反射光欄
進(jìn)入檢偏器,調(diào)整起偏器2,總會找到一個(gè)方位角P使入射的橢圓偏振光在反射方向變
成線偏振光。旋轉(zhuǎn)檢偏器7,使其消光。此時(shí)檢偏器在方位角A的位置其透光方向與線
偏振光偏振方向垂直。先由觀察窗目測光強(qiáng)的變化,當(dāng)光強(qiáng)最弱時(shí),才轉(zhuǎn)為光電流觀察,
光電倍增管將光能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔,通過微電流放大器由微安表表頭指示最弱光電流(光強(qiáng)),
這樣就可以準(zhǔn)確判斷消光狀態(tài),測出消光狀態(tài)下起偏器和檢偏器對應(yīng)的(P, A)數(shù)值,以
確定入射橢圓偏振光和反射線偏振光的振幅比和位相差,進(jìn)而得出被測樣品的表面薄膜
厚度和折射率。
    儀器在正常使用時(shí),不要隨意調(diào)整和校正,特別是1/4波長片,不允許折下或轉(zhuǎn)動,
以免造成測量誤差。

實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 :
    本實(shí)驗(yàn)測量樣品為Si與Si02。硅是吸收介質(zhì),所以具有復(fù)數(shù)折射率,對波長6328 A的He-Ne激光,n,=3. 9-0. 02i,實(shí)驗(yàn)時(shí)取入射角Φ0=700。
 測量過程中,激光器輸出光功率應(yīng)穩(wěn)定,為此,激光管必須點(diǎn)亮半小時(shí)后才能開始測量。
        對消光狀態(tài)的判斷,有目測和光電檢測兩種結(jié)構(gòu),為了保護(hù)光電管,應(yīng)先用目測,從觀察窗觀察反射光的光斑。光斑應(yīng)是完整的園形亮斑,當(dāng)樣品臺轉(zhuǎn)動時(shí),亮斑不應(yīng)轉(zhuǎn)動或出現(xiàn)殘缺。旋轉(zhuǎn)偏振器目測至光斑消失或最暗,再轉(zhuǎn)換到光電檢測。當(dāng)光電流指示到最小值后,應(yīng)把轉(zhuǎn)換旋鈕撥到觀察窗的位置,再去讀取起偏器P和檢偏器A的讀數(shù)(P,A)。光電管的高壓取值600-900伏,一般放在700伏左右。
    對于樣品上的同一點(diǎn),有兩組起偏器和檢偏器的刻度值,使得反射光處于消光狀態(tài)。對這兩組(P, A)進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。得到△和Ψ,通過列線圖,數(shù)據(jù)表和計(jì)算機(jī)程序計(jì)算,最后獲得厚度和折射率。
   1.由測量的兩組(P, A)計(jì)算△和Ψ:
    根據(jù)儀器選用的座標(biāo)系,必須把測量出的兩組(P, A)通過適當(dāng)?shù)淖儞Q求平均值,然后算出△和Ψ,步驟如下:
    (a)區(qū)分(P1 A1,)和(P2, A2):先根據(jù)檢偏器方位角范圍區(qū)分A1和A2;對應(yīng)于A1的起偏器方位角稱P1,對應(yīng)于A2稱P2,讀數(shù)范圍表示如下:
A1:在0-90o之間          P1:在0-180o之間
A2:在90-180o之間        P2:P2=P1士90(當(dāng)P2>0)
 (b)根據(jù)下式將(P2,A2)換算成(P2’,A2’)
 
 (c)把(P1,A1)(P2,A2)求平均,即:
   
通過以上變換,P,A的讀數(shù)范圍是:
  
 (d)△和Ψ的計(jì)算公式:
 
 
 
實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)表格及數(shù)據(jù)處理:
 1.對SiO2的測量數(shù)據(jù)與計(jì)算機(jī)計(jì)算:

參量 A1 P1 A2 P2 A2’ P2’   
SiO2 11.69O 67.50O 168.58 O 157.54 O 11.42 O 67.54 O 11.56O 67.52 O 
 
 △=134.96 O   和 Ψ=11.56O
 將以上參數(shù)輸入計(jì)算機(jī)得:
 折射率N1=2.34;
 SiO2樣品(周期)厚度:D1=140.66Å ,D2=1617.89Å ,D3=3095.138Å 。 
 
 2.對Si的數(shù)據(jù)測量與公式計(jì)算:

參量 A1 P1 A2 P2 A2’ P2’   
Si 10.56 O 67.50 O 167.52O 170.00O 12.48O 80.00 O 11.52O 73.75O 
 
 △=132.4O   和 Ψ=11.52 O
 將以上數(shù)據(jù)代入公式:

 
 得:
 n1 = N –iNK =3.23-0.31i

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