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干涉光的變場(chǎng)現(xiàn)象-(續(xù)2)

時(shí)間:2023-03-03 08:32:49 物理畢業(yè)論文 我要投稿
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干涉光的變場(chǎng)現(xiàn)象-(續(xù)2)

概述:本文在揚(yáng)氏干涉基礎(chǔ)之上,增加了一個(gè)成像光學(xué)系統(tǒng),以實(shí)驗(yàn)觀測(cè)雙相干光源成像的位置變化和能量分布變化,從中得到一個(gè)值得再探討的新現(xiàn)象。
關(guān)鍵字:干涉、成像、分離、變場(chǎng)

19世紀(jì)的揚(yáng)氏干涉實(shí)驗(yàn)對(duì)后世的物理學(xué)影響極大,至今它仍是物理學(xué)中的一個(gè)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)。對(duì)于揚(yáng)氏干涉實(shí)驗(yàn),人們一直是將雙相干光投射到相干區(qū)內(nèi),以觀察干涉的明暗條紋。我們普遍認(rèn)為(1)式成立。
(1)
式中: 和 是單縫場(chǎng)。
和 是雙縫場(chǎng)。
(2-1)
(2-2)
參見圖一。請(qǐng)參考有關(guān)資料。

實(shí)際上,我們并沒(méi)有什么理由認(rèn)為(2)成立,而將(2)的成立認(rèn)為是“默認(rèn)的、應(yīng)該的”。

現(xiàn)在,我們將這個(gè)實(shí)驗(yàn)加以引申,采用成像的方法,即采用光束“分-合-分”的方法,將相干區(qū)內(nèi)的相干光分離成像,并觀察干涉光分離后的成像位置和能量分布狀況。作者從實(shí)驗(yàn)的結(jié)果中,得出了一些新現(xiàn)象。

一、揚(yáng)氏干涉中的場(chǎng)分布
揚(yáng)氏干涉如圖一中(a)。按照光的波動(dòng)說(shuō):縫光源A和B在空間中傳播的電磁場(chǎng)分布值,不會(huì)隨光源A或B的存在與否而變化,即從A和B所發(fā)出的光波在整個(gè)光路傳播過(guò)程中是相互獨(dú)立的。這樣,單縫場(chǎng) 和 被認(rèn)為與雙縫場(chǎng) 和 是相同的,如圖一中(b)和(c)。參見(1)式。

圖二 干涉光的成像分離
我們?cè)诟缮鎱^(qū)后增加一個(gè)正透鏡,用于對(duì)逢AB進(jìn)行成像,如圖二。這樣單縫成像和雙縫成像的像A`或B`位置和能量分布是不變的。它們分別由 和 決定,也可以說(shuō)由 和 決定。
但是,在實(shí)際中,像A`或B`的特性是變化的,(1)式并不成立,即:
(3)
式中: ,
由于這種在干涉區(qū)內(nèi)的電磁場(chǎng)分布發(fā)生了變化,導(dǎo)致像位置和能量分布是變化的,我們不妨將這種現(xiàn)象稱之為“變場(chǎng)”。這種變化量有多大?下面的干涉光源的成像實(shí)驗(yàn)可以證明這種現(xiàn)象的存在。
在論述光學(xué)系統(tǒng)中干涉光源的成像問(wèn)題之前,我們先回顧一下目前有關(guān)光學(xué)理論的成像原理。

二、物光源在共軸球面系統(tǒng)中的成像規(guī)律
圖三 雙縫光源A和B成像光學(xué)圖
Ÿ物體或像箭頭由紙面向上 ª物體或像箭頭向紙面里
按高斯光學(xué),物空間中的一個(gè)點(diǎn)、一條直線或平面經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)后,在像空間中有其一一對(duì)應(yīng)的點(diǎn)、線或面存在。例如,有縫光源A、B和正透鏡L組成一個(gè)成像光學(xué)系統(tǒng),L的焦距為f [正透鏡為圓形,在空氣介質(zhì)中],物、像距離正透鏡L的物、像方主平面K和K’分別為u和v,如圖三。
在圖三中,縫A、B對(duì)稱垂直于主光軸Z,但不與主光軸Z相交,且偏離主光軸Z都為d。定義AB縫所在平面為Q面。我們?cè)赒面上建立x-y坐標(biāo)系,y軸平行于光縫,x軸方向向紙外且垂直于主光軸Z,其坐標(biāo)原點(diǎn)在主光軸Z與Q面的交點(diǎn)上,如圖三中(a)。
在距正透鏡主平面K前(左側(cè))s處取一平面P,P面與主光軸Z垂直,則P面到Q面的間距為 。在P面上建立x-y坐標(biāo)系,如圖三中(b),圖中x軸方向向紙外,y軸平行于AB縫,并且方向相同,其原點(diǎn)在主光軸Z上。
同樣,在像平面R上建立x-y坐標(biāo)系,如圖三中(c)。


按照幾何光學(xué)來(lái)說(shuō):不論雙縫光源A和B是相干光或非相干光,它們?cè)谙窨臻g中所成像的特性[像位置和像的能量分布]不變,這是由光線傳播過(guò)程中的三個(gè)基本定理決定的:直線傳播定理、獨(dú)立傳播定理、反射和折射定理。另一方面,按照光的波動(dòng)說(shuō):縫光源A和B在物空間和像空間中傳播的電磁場(chǎng)分布值,不會(huì)隨光源A和B的相干性與否而變化,即從A和B所發(fā)出的光波在整個(gè)光路傳播過(guò)程中是相互獨(dú)立的,在空間任意一點(diǎn)的總場(chǎng)值是兩者之和。設(shè)p(x,y)為P平面上任意一點(diǎn),如圖三中(b)。定義它們的各自波動(dòng)方程為:
A縫光源在p(x,y)點(diǎn)的波動(dòng)方程: (4)
B縫光源在p(x,y)點(diǎn)的波動(dòng)方程: (5)
波函數(shù)EA(t)經(jīng)正透鏡L后,會(huì)在像空間的成像平面R上的xA處成倒像A’,像A’的特性只與(4)式有關(guān),而與(5)式無(wú)關(guān),如圖三中(c);同樣波函數(shù)EB(t)在像空間R平面上的xB處成倒像B’,像B’的特性只與(5)式有關(guān),而與(4)式無(wú)關(guān)。重申:(4)式和(5)式描述的場(chǎng)分布是相互獨(dú)立的。
那么,在P面上的相干光EA和EB的相位差δ為:
(6)
式中:Δ是光程差

圖四 QPR平面上的光源圖、干涉圖和成像圖
當(dāng)我們?cè)赑面上加入光闌,并限制部分EA和EB的能量通過(guò)后,EA和EB同樣會(huì)在像空間內(nèi)的R平面上xA、xB處成倒像A’和B’,這是由于光在傳播過(guò)程中的獨(dú)立性所決定的。
我們可以畫出在Q面上AB縫光源的位置,如圖四中(a)。
圖中:w為A和B的縫寬
h為A和B的縫高
2d為AB雙縫內(nèi)邊間距,2d的中心在x-y坐標(biāo)系的原點(diǎn)上

假設(shè)AB縫在P面的干涉條紋如圖四中(b)。
圖中:Dx為相鄰干涉極大值或極小值的間距
Dy為單亮紋或暗紋的高度
光闌的寬度為a,高度為b

我們可以畫出相干光縫AB在P面x軸上的電磁場(chǎng)功率密度分布圖,如圖五中(a)。在圖中,畫出了Dx和光闌的寬邊位置。

圖五 P平面上的電磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖
在光闌的b>Dy和a>nDx(n是可觀測(cè)干涉條紋個(gè)數(shù)。在圖四中,我們?nèi)=5)的條件下,AB對(duì)應(yīng)的成像圖如圖四中(c)。
圖中:W為像A’和B’的像寬
H為像A’和B’的像高
xA和xB為像A’的左邊位置和B’的右邊位置
2D為雙像A’B’的內(nèi)邊間距,


圖六 單逢A的QPR面上亮暗條紋圖
由于電磁場(chǎng)EA[或EB]在傳播過(guò)程中的獨(dú)立性,見(4)式[或(5)式]。因此,當(dāng)我們遮擋縫B時(shí),縫A在Q面、P面和R面的條紋如圖六中的(a)、(b)和(c)。我們?cè)赑面上會(huì)觀測(cè)到縫A對(duì)應(yīng)的連續(xù)光帶。
當(dāng)我們遮擋縫A時(shí),縫B在Q面、P面和R面的條紋類似如圖六中的(a)、(b)和(c)。

圖七 窄光闌時(shí),QPR平面上的光源圖、干涉圖和成像圖
那么,當(dāng)我們減小光闌的寬度a=nDx[在這里,我們?nèi)=3],并使a>>λ(光波長(zhǎng)),而高度b不變時(shí),雙縫AB的干涉QPR圖的結(jié)果如圖七。由于光闌的作用,光闌與R面組成一個(gè)相當(dāng)于夫瑯和費(fèi)單縫衍射。這樣,單縫A或B在R面上各自的光紋寬度為:
(7)
式中:W是成像光條A’(或B’)兩邊的光強(qiáng)零值到零值的寬度
λ是光波波長(zhǎng),對(duì)應(yīng)的角頻率為ω
a是光闌的寬度


w是縫A(或B)的縫寬
u和v分別是Q面到主平面K和R面到主平面K’的距離
(7)式說(shuō)明:在有光闌存在時(shí),在R面上衍射成像條紋的寬度要大于無(wú)光闌時(shí)的成像條紋寬度。如圖七中(c)所示。

在單縫A或B成像情況下,其結(jié)果與圖六類似,不再畫出,只是像A’和B’條紋的寬度增加了,如(7)式。我們可以畫出相干光縫AB在P面x軸上的電磁場(chǎng)強(qiáng)度圖,如圖五中(b)。注意:我們可以選擇適當(dāng)?shù)膄、a、v和u值,使成像條紋A’和B’不相重合,即,使光闌的寬度a和像A’B’的間距2D足夠大,讓像A’的光強(qiáng)主極大值對(duì)像B’無(wú)影響,反之依然。在下面的討論中,都滿足以上條件,我們忽略光強(qiáng)的次極部分,而不再考慮它們的相互影響。這樣,不論是單縫成像或雙縫成像,我們都有如下的結(jié)論:
像A’的場(chǎng)分布值域范圍都為: (8-1)
像B’的場(chǎng)分布值域范圍都為: (8-2)
為固定不變域。


三、干涉光在窄光闌成像中的悖論
上面是從目前的理論框架下得出的結(jié)論,F(xiàn)在,我們可以從理論上推導(dǎo)出一個(gè)悖論。
在P面上,我們?cè)诹?xí)慣上只關(guān)心光強(qiáng)度的相對(duì)值,因此將同一介質(zhì)中描述電磁場(chǎng)的系數(shù) 略去。單縫A和B在P面x軸上的光輻照度(光強(qiáng))和為:
(非相干情況下)
式中:AP是逢光源投射在P面上的振幅[在近軸Z情況下]
圖八 功率密度和功率圖
光強(qiáng)IS代表逢光源A和B發(fā)射出的總功率之和,如圖八中(a)。我們只求單縫A和B投射在P面[0,x]之間的光功率之和為:
(9)
式中:S是積分面積, 。
ES如圖八中(b)。如果A和B縫在R面成像,則(9)式也是R面上像A’B’的功率和。當(dāng)x=L時(shí),(9)式變?yōu)椋?br /> (14)
在另一種情況下──在雙縫干涉情況下,干涉光在P面x軸上的光強(qiáng)為:
(相干情況下) (11)
式中: ,見(6)式。由于 , ,我們有:

式中: 是P面與Q面之間的距離
2d是縫AB間距
λ是相干光的波長(zhǎng)
那么,(11)式變?yōu)椋?br />
光強(qiáng)ID如圖八中(a)。當(dāng)ID=IS時(shí),可以解得 。我們求相干光在[0,x]之間的功率之和為:

(12)
式中:S是積分面積, 。
圖九 功率比值與功率總和
ED如圖八中(b)。那么,我們?nèi)?12)式與(9)式之比為:
(13)
我們將B與x之間的關(guān)系繪于圖九中(a)。我們有;

上式說(shuō)明:以L為周期,相干與非相干光在[n,(n+1)L]區(qū)段內(nèi)的功率積分是相等的(n∈整數(shù))。

圖十
如果場(chǎng)EA(t)和EB(t)在空間中的傳播是獨(dú)立的,即不隨單縫或雙縫的成像條件變化而改變,那么,取光闌縫的位置為 ,其中:成立,如圖十。我們可以求得對(duì)應(yīng)光功率成像在R面上之和為:
(14)
式中: 是P面光闌區(qū)的積分面積, 。
即在R面上的像功率和等同于電磁場(chǎng)分別穿過(guò)P面光闌所對(duì)應(yīng)分量的功率和,(14)式既適用于單縫成像,也適用于雙縫成像的條件。這樣,在雙縫干涉成像,并取光闌的位置取為 時(shí),我們計(jì)算在P面上 之間的功率與像A’B’的功率和為:

(15)
將E(x)畫于圖九中(b)。那么,當(dāng)我們考察的時(shí),有:
(16)

我們會(huì)得到這樣的結(jié)論:當(dāng)光闌縫取為 ,即 時(shí),能量E(x)將最大限度地大于由AB縫發(fā)出的總能量之和ESL,能量有“超生”現(xiàn)象!其超出的功率如圖九中(b)的陰影部分。同樣地,當(dāng)我們?nèi)」怅@縫為時(shí),會(huì)得出能量“隱含”的現(xiàn)象!但是,實(shí)際情況并非如此,這是一個(gè)悖論!問(wèn)題出在哪?
那么,我們以實(shí)驗(yàn)來(lái)測(cè)量(8)式的結(jié)果,以判斷像A’B’的域值范圍。

四、干涉光的窄光闌成像實(shí)驗(yàn)
圖十一 激光器Las和Q面上的檔片
我們用實(shí)驗(yàn)來(lái)觀測(cè)上面的結(jié)論,可以得到一個(gè)新現(xiàn)象。在雙縫平面Q上的左側(cè)沿中軸Z放置一個(gè)激光器Las,其光束的發(fā)散角近似為零,波長(zhǎng)為λ=750nm。我們?cè)赒面上安裝一個(gè)檔片,它可以在Q面上沿x方向左右移動(dòng),以遮擋縫A或B,可以完成單縫或雙縫成像的選擇,如圖十一。我們?cè)诟缮婷鍼上取部分光闌 的透光區(qū)進(jìn)行成像。我們?cè)诔上衩鍾上沿x軸上放置一個(gè)線陣ICCD接收單元,以測(cè)量倒像A’和B’在x軸向上的位置和能量分布狀況。實(shí)驗(yàn)條件:
u是物方距離,u=131.1cm
v是像方距離,v=233.5cm
w是A和B的縫寬,w=0.1mm
f是正透鏡的焦距,f=1.0m
h和H分別是縫AB的高度和像高度,h=1.0mm,H=4~5mm
d和D分別是縫AB物體和像偏離主光軸Z的距離,2d=0.7~0.8mm,2D=1.5~2.0mm
Dx為干涉面上相鄰極大值或極小值的間距,Dx=1.1mm

實(shí)驗(yàn)測(cè)量的結(jié)果如下:
圖中:曲線是雙縫AB的像;曲線‚是單縫A的像;曲線ƒ是單縫B的像。
1.當(dāng)a=2.0Dx時(shí),干涉光的成像結(jié)果

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