- 相關(guān)推薦
RTP預(yù)處理對(duì)直拉硅中銅沉淀行為及其電學(xué)性能的影響
全部作者： 王維燕 楊德仁 第1作者單位： 浙江大學(xué)硅材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 論文摘要： 我們使用紅外掃描電鏡，電子束誘生電流和微波光電導(dǎo)衰減儀等設(shè)備，研究了RTP預(yù)處理對(duì)直拉硅中Cu沉淀的行為及其電學(xué)性能的影響。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，與沒(méi)有經(jīng)過(guò)RTP預(yù)處理的情形相比較，經(jīng)RTP氬氣氣氛1200℃或1100℃預(yù)處理，幾乎對(duì)硅中Cu沉淀的尺寸和大小沒(méi)有影響，但導(dǎo)致硅片復(fù)合強(qiáng)度的增強(qiáng)和少子壽命的降低。然而經(jīng)RTP氧氣氣氛1200℃或1100℃的預(yù)處理，將會(huì)抑制Cu沉淀的形成并導(dǎo)致大尺寸Cu沉淀團(tuán)聚，但仍然導(dǎo)致硅片少子壽命的降低。以上實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，RTP預(yù)處理時(shí)注入的空位或自間隙硅原子會(huì)對(duì)硅中Cu沉淀的行為及其電學(xué)性能產(chǎn)生影響。此外，相比經(jīng)RTP1100℃或氧氣氣氛下預(yù)處理的硅片，經(jīng)RTP1200℃或氬氣氣氛下預(yù)處理的硅片具有更低的少子壽命。 關(guān)鍵詞： 硅，快速熱處理，壽命 (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2006年10月26日 同行評(píng)議：
（暫時(shí)沒(méi)有）
綜合評(píng)價(jià)： （暫時(shí)沒(méi)有） 修改稿：【RTP預(yù)處理對(duì)直拉硅中銅沉淀行為及其電學(xué)性能的影響】相關(guān)文章：
溶脹預(yù)處理對(duì)低階煤液化性能的影響03-03
硅薄膜的制備及光學(xué)性能研究03-01
CFE對(duì)FRESH濾波器的性能影響分析及其校正03-07
有序中孔炭的制備及其電化學(xué)性能03-12
淺談內(nèi)部審計(jì)在公司治理中的作用、關(guān)系及其影響03-23
肉身的“放逐”及其影響03-18
戰(zhàn)略聯(lián)盟中的機(jī)會(huì)主義行為及其防范研究03-17