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MOSFET重離子源漏穿通效應(yīng)的二維數(shù)值模擬
全部作者： 夏春梅 賀朝會(huì) 第1作者單位： 西安交通大學(xué) 論文摘要： 用DESSIS器件模擬軟件對(duì)MOSFET的單粒子效應(yīng)進(jìn)行了研究，模擬的結(jié)果與電荷漏斗模型[1]相吻合，表明了所建立的物理模型的正確性。在不同LET（Linear Energy Transfer）值的離子的入射下，MOSFET的漏極收集電流隨LET值的增大而增大。模擬結(jié)果表明重離子也能引起源－漏穿通效應(yīng)，而且證明當(dāng)器件的特征尺寸減小到1定尺度以下時(shí)，既能產(chǎn)生直接溝道效應(yīng)，也能產(chǎn)生間接溝道效應(yīng)。通過比較不同特征尺寸器件在間接溝道入射時(shí)溝道處的等位線的分布情況，證明了當(dāng)器件的特征尺寸越來越小時(shí)，源－漏穿通效應(yīng)越來越明顯。 關(guān)鍵詞： DESSIS 電荷漏斗模型 源－漏穿通效應(yīng) 直接溝道效應(yīng) 間接溝道效應(yīng) (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月25日 同行評(píng)議：
目前對(duì)于單粒子效應(yīng)的研究多集中于實(shí)驗(yàn)方面，對(duì)器件內(nèi)部發(fā)生的過程和機(jī)制尚需進(jìn)行細(xì)致的理論分析，因此該論文的選題有意義。但是該文的全部?jī)?nèi)容是利用現(xiàn)有軟件對(duì)MOSFET的重離子輻照瞬態(tài)過程進(jìn)行模擬，沒有反映重要的器件物理問題如：受到重離子輻照而激發(fā)產(chǎn)生過剩載流子的機(jī)制、過剩載流子的瞬態(tài)運(yùn)動(dòng)、載流子分布的變化規(guī)律等，僅單純使用軟件給出了1些模擬結(jié)果，意義不明顯。具體來說，存在以下缺陷：（1）如果使用短暫的光脈沖進(jìn)行激發(fā)，同樣會(huì)得到類似于圖3、圖6、圖7、圖8的結(jié)果（即也能形成溝道導(dǎo)致源漏穿通），重離子輻照和光輻照相比有何特別之處、究竟是怎樣作用的，沒有具體說明；（2）在MOSFET漏極結(jié)附近的等位線無論是否受到重離子輻照均會(huì)表現(xiàn)出類似于圖2的分布規(guī)律，因此僅以圖2為據(jù)說明“所建立的物理模型的正確性”很牽強(qiáng)；（3）盡管該文多處提到“所建立的物理模型”，但是從該文中并未見到作者所建立的物理模型；（4）圖6沒有橫坐標(biāo)名稱，圖5對(duì)應(yīng)于圖6的哪1時(shí)刻也未明示；（5）國內(nèi)外已有不少單位對(duì)MOSFET的單粒子效應(yīng)做了實(shí)驗(yàn)研究和理論分析，該文參考文獻(xiàn)未反映。
綜合評(píng)價(jià)： 修改稿： 注：同行評(píng)議是由特聘的同行專家給出的評(píng)審意見，綜合評(píng)價(jià)是綜合專家對(duì)論文各要素的評(píng)議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。【MOSFET重離子源漏穿通效應(yīng)的二維數(shù)值模擬】相關(guān)文章：
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