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H+-ISFET的溫度特性及補償

時間:2022-11-22 17:50:57 通信工程畢業(yè)論文 我要投稿
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H+-ISFET的溫度特性及補償

全部作者: 許姍 童敏明 李雪花 楊禮現(xiàn) 第1作者單位: 中國礦業(yè)大學(xué)信息與電氣工程學(xué)院 論文摘要: 本文通過研究氫離子敏場效應(yīng)傳感器(H+-ISFET)的物理化學(xué)結(jié)構(gòu)特性得到它的溫度特性,總結(jié)出它極易產(chǎn)生溫度漂移的特點。針對這個缺點,提出了5種抑制溫度漂移的方法,使得溫度補償后的H+-ISFET有了較好的溫度特性。 關(guān)鍵詞: 氫離子敏場效應(yīng)傳感器,H+-ISFET,溫度特性,溫度補償 (瀏覽全文) 發(fā)表日期: 2007年07月09日 同行評議:

該文通過分析氫離子敏場效應(yīng)傳感器的特點,傳感器的溫度漂移,提出了幾種抑制溫度漂移的方法,具有1定的參考意義。如有實驗數(shù)據(jù)的支持則更好1些。比如補充1些溫漂的實際改善情況的數(shù)據(jù)則更有說服力  

綜合評價: 修改稿: 注:同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見,綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值,以1至5顆星顯示。

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