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通過JTAG口對(duì)DSP外部Flash存儲(chǔ)器的在線編程

時(shí)間:2024-07-04 17:18:56 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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通過JTAG口對(duì)DSP外部Flash存儲(chǔ)器的在線編程

摘要:采用一種簡(jiǎn)單可行的方法,在TI公司TMS320C6X DSP集成開發(fā)環(huán)境CCS2.0下,通過JTAG口實(shí)現(xiàn)對(duì)DSP外部Flash可擦寫存儲(chǔ)器的在線編程;將用戶數(shù)據(jù)文件燒寫到DSP的外部Flash中,并在TMS320C6711 DSP板上多次測(cè)試通過。

引言

在采用TI數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的嵌放式硬件系統(tǒng)開發(fā)完成,軟件也有CCS2.0集成開發(fā)環(huán)境下仿真測(cè)試通過后,怎樣將編譯、鏈接后生成的可執(zhí)行文件(.Out),經(jīng)過轉(zhuǎn)換后的十六進(jìn)制文件(.Hex)寫入硬件系統(tǒng)的Flash存儲(chǔ)器中,讓系統(tǒng)脫機(jī)運(yùn)行,這是許多DSP開發(fā)人員及初學(xué)者遇到并需要解決的問題。

從JTAG接口對(duì)DSP外部Flash的編程方法不只一種。本文以TMS320C6711-150 DSK板為例,介紹“在線仿真狀態(tài)下”對(duì)Flash的編程。

1 Flash存儲(chǔ)器的擦除

Flash編程之前,應(yīng)對(duì)Flash進(jìn)行擦除,使其每個(gè)數(shù)據(jù)位都恢復(fù)為1狀態(tài),即全FF狀態(tài)。對(duì)Flash的擦除操作需要6個(gè)總線周期,總線時(shí)序如圖1。

從圖1可知,各總線周期的操作為:

第一總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)80H;

第四總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

第五總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第六總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)10H。

完成上述操作后,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器被完全擦除,內(nèi)部數(shù)據(jù)恢復(fù)為初始狀態(tài),全為FFH。

在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

void erase_flash()

{

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0080;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x00aa;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR2=0x0055;

*(unsigned volatile char*)FLASH_ADR1=0x0010;

}

在TMS320C6711系統(tǒng)中,F(xiàn)lash所在地址段為CE1空間,其開始地址為0x90000000。這樣,其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在頭文件中被定義為:

#define FLASH_ADR1 0x90005555

#define FLASH_ADR2 0x90002AAA

需要說明的是,在對(duì)Flash進(jìn)行擦除時(shí),應(yīng)對(duì)DSP及EMIF外存儲(chǔ)器接口進(jìn)行初始化,CE1空間定義為8位讀寫模式。

初始化函數(shù)如下:

void c6x11_dsk_init(){ /*DSP和EMIF初始化*/

CSR=0x100; /*禁止所有中斷*/

IER=1; /*禁止除NMI外的所有中斷*/

ICR=0xffff; /*清除所有未完成的中斷*/

*(unsigned volatile int *)EMIF_GCR=0x3300;

*(unsigned volatile int *)EMIF_CE0=0x30;

*(unsigned volatile int*)EMIF_CE1=0xffffff03;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDRP=0x61a;

*(unsigned volatile int*)EMIF_SDEXT=0x54529;

}

2 Flash存儲(chǔ)器的編程

對(duì)Flash存儲(chǔ)器進(jìn)行字節(jié)編程之前,需要對(duì)它進(jìn)行3個(gè)周期的編程指令操作,總線時(shí)序如圖2。

從圖2可知,各總線周期的操作如下:

第一總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)AAH;

第二總線周期——向2AAAH地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)55H;

第三總線周期——向5555H地址的存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)A0H;

第四總線周期——向地址的存儲(chǔ)單元寫入編程數(shù)據(jù);

……

在TMS320C6711中,用C語言完成上述操作為:

/*---------------------------------------------------------------------*/

/*入口參數(shù):pattern[]:數(shù)組,用于存儲(chǔ)編程數(shù)據(jù)*/

*/ start_address:所要編程的起始地址指針*/

/* page_size:所要編程的Flash的頁面尺寸*/

/*出口參數(shù):無*/

/*---------------------------------------------------------------------*/

void flash_page_prog(unsigned char pattern[],unsigned volatile char *start_address,int page_siz

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