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串行FLASH SSF1101在單片機(jī)

時(shí)間:2024-07-02 08:43:40 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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串行FLASH SSF1101在單片機(jī)

摘要:SSF1101是存儲(chǔ)容量為4Mbit的SPI串行接口FLASH存儲(chǔ)器,其IC卡封裝形式可作為單片機(jī)系統(tǒng)的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)卡。文中介紹了該器件的主要特性和工作原理,并以IC卡封裝形式為例,給出了其與單片機(jī)的接口電路及相應(yīng)的讀寫(xiě)程序。

1 概述

對(duì)于野外移動(dòng)工作或不便與上位機(jī)通信的單片機(jī)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),使用一個(gè)大容量、可插拔、便于更換和攜帶的智能卡來(lái)存儲(chǔ)采集到的數(shù)據(jù),是一個(gè)較好的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方案。SSF1101是上海新茂半導(dǎo)體有限公司生產(chǎn)的4Mbit串行接口可編程閃速存儲(chǔ)器,該器件采用SPI串口模式與單片機(jī)或微機(jī)通信,無(wú)需任何外圍元件。利用該器件提供的IC卡封裝形式,可非常方便地和單片機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行接口以構(gòu)成大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置。同時(shí),該芯片具有封裝尺寸小、集成度高、電壓低、存儲(chǔ)容量大、接口方式簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在商業(yè)和工業(yè)領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2 性能特點(diǎn)

SSF1101是一個(gè)4Mbit的串行FLASH存儲(chǔ)器,具有4根器件識(shí)別腳,可在一個(gè)系統(tǒng)中最多能擴(kuò)展16片,其總存儲(chǔ)容量可達(dá)8M字節(jié),該器件的性能特點(diǎn)如下:

●SPI串行數(shù)據(jù)接口符合SPI標(biāo)準(zhǔn);

●器件內(nèi)具有4M Bit 閃速存儲(chǔ)器,512頁(yè),每頁(yè)1024字節(jié);

●內(nèi)置4位器件地址譯碼電路,可直接并聯(lián)擴(kuò)展存儲(chǔ)容量,最多可連接16片;

●帶有雙1k字節(jié)的數(shù)據(jù)緩沖器,可在編程期間寫(xiě)入或讀取數(shù)據(jù),且讀。瘜(xiě)入地址自動(dòng)遞增;

●高速頁(yè)面編程,典型時(shí)間為20ms;

●高速頁(yè)面到數(shù)據(jù)緩沖器的傳輸?shù)湫蜁r(shí)間為100μs;

●頁(yè)面擦除典型時(shí)間為10ms;

●器件擦除典型時(shí)間為2s;

●內(nèi)置擦除/編程時(shí)序邏輯;

●可硬件寫(xiě)保護(hù);

●時(shí)鐘頻率最高達(dá)10MHz;

●采用單5V電源工作,并有低電壓2.7~3.5V可供選擇;

●低功耗,休眠電流典型值為18μA;

●與CMOS電平和TTL輸入/輸出電平兼容;

●工作溫度很寬(商用);

●內(nèi)置上電復(fù)位電路;

●在數(shù)據(jù)緩沖器和主Flash之間進(jìn)行傳送或比較時(shí),可對(duì)未用的數(shù)據(jù)緩沖器和狀態(tài)寄存器進(jìn)行操作。

SSF1101采用32腳TSOP封裝和IC卡封裝兩種形式,其TSOP封裝外形及引腳排列如圖1(a)所示,IC卡的觸點(diǎn)配置如圖1(b)所示。器件的引腳功能說(shuō)明見(jiàn)表1所列。

表1 SSF110引腳說(shuō)明

序 號(hào)引腳名I/O

描 述

1RDY/BUSYO閑/忙指示,此腳為低時(shí)表示器件忙,不能閃存進(jìn)行操作2RSTI復(fù)位,低有效3WPI寫(xiě)保護(hù),高有效。此信號(hào)有效時(shí)不能對(duì)閃存進(jìn)行寫(xiě)擦除操作6VccI電源7,8GNDI地4,5,9,10ID0~I(xiàn)D3I芯片地址A0~A3,只有命令中的Device ID和ID0~I(xiàn)D3引腳電平一致時(shí),命令才會(huì)被器件接受11TMI測(cè)試引腳,正常使用時(shí)接地12CSI片選,低有效,命令輸入后應(yīng)重新置為高電平13SCKI串行輸入數(shù)據(jù)時(shí)鐘14SII數(shù)據(jù)輸入,命令和數(shù)據(jù)都由此腳串行輸入15SOO/Z串行數(shù)據(jù)輸出,三態(tài)16~32NCZ空腳

3 工作原理

SSF1101具有4194304位主存儲(chǔ)單元,分成512頁(yè)面、每頁(yè)面1024個(gè)字節(jié)。此外SSF1101還包含有2個(gè)SRAM緩沖器,每個(gè)緩沖器有1024個(gè)字節(jié),當(dāng)主存儲(chǔ)器內(nèi)的1頁(yè)正被編程時(shí),緩沖器照樣能接收輸入數(shù)據(jù)。SSF1101使用SPI串口訪問(wèn)它的數(shù)據(jù),因而硬件設(shè)計(jì)十分方便,系統(tǒng)可靠性很強(qiáng),并可把開(kāi)關(guān)噪聲降到最低。該芯片在編程期間,不需要高電壓,而編程電壓仍為電源電壓。 圖2所示是SSF1101存儲(chǔ)器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。

SSF1101通過(guò)簡(jiǎn)單的SPI串行口進(jìn)行數(shù)據(jù)存取,器件的操作由主機(jī)發(fā)出的指令控制,一個(gè)有效指令包括一字節(jié)4位操作碼、4位器件地址以及目的緩沖器或主儲(chǔ)器地址位置。當(dāng)CS為0時(shí),主機(jī)向器件SCK端發(fā)送時(shí)鐘信號(hào),以引導(dǎo)操作碼和地址從SI端寫(xiě)入到器件中。所有指令地址和數(shù)據(jù)都是先送高位。SSF1101的操作命令如表2所列。表中的X可取任意值,它對(duì)器件操作沒(méi)有影響。

表2 SSF1101操作命令表

操 作命 令器件地址頁(yè)面地址緩沖區(qū)地址讀緩沖區(qū)11110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0讀緩沖區(qū)21111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0寫(xiě)緩沖區(qū)10110ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0寫(xiě)緩沖區(qū)20111ddddXXXXXXXXXXXXBA11-BA0使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)1到閃存?zhèn)魉?010ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)2到閃存?zhèn)魉?011ddddPA11-PA0XXXXXXXXXXXX不使用內(nèi)建擦除周期的從緩沖區(qū)1到閃存?zhèn)?010ddddPA11-PA0X

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