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鐵電存儲(chǔ)器在儀表中的應(yīng)用
摘要：FRAM 是一種新型存貯器，最大特點(diǎn)是可以隨總線速度無限次的擦寫，而且功耗低。FRAM性能優(yōu)越于EEPROM AT24C256。關(guān)鍵詞：存貯器；FM24C256；AT24C256；EEPROM
一．概述：
FRAM是最近幾年由RAMTRON公司研制的新型存貯器，它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，擁有隨即存取記憶體和非易失性存貯產(chǎn)品的特性。FM24C256是一種鐵電存貯器（FRAM）,容量為256KBIT存貯器，它和AT24C256容量等同，總線結(jié)構(gòu)兼容，但FM24C256的性能指標(biāo)遠(yuǎn)大于AT24C256。在存貯器領(lǐng)域中，F(xiàn)M24C256應(yīng)用逐漸被推廣和認(rèn)可，尤其是大容量存貯器，它的優(yōu)良特性遠(yuǎn)高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中，數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展，保存的數(shù)據(jù)量越來越大，這就需要大容量的存儲(chǔ)器，而大容量的EEPROM性能指標(biāo)不是很高，尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用，會(huì)提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
二．鐵電存貯器（FRAM）FM24C256的特性：
傳統(tǒng)半導(dǎo)體記憶體有兩大體系：易失性記憶體（volatile memory）和非易失性記憶體（non-volatile memory）。
易失性記憶體像SRAM和DRAM在沒有電源的情況下都不能保存數(shù)據(jù)。但這種存貯器擁有高性能、易用等優(yōu)點(diǎn)。
非易失性記憶體像EPROM，EEPROM和FLASH 能在斷電后仍保存數(shù)據(jù)。但由于所有這些記憶體均起源自ROM技術(shù)，所以不難想象得到他們都有不易寫入的缺點(diǎn)：寫入緩慢、讀寫次數(shù)低、寫入時(shí)工耗大等。
FM24C256是一個(gè)256Kbit 的FRAM，總線頻率最高可達(dá)1MHz，10億次以上的讀寫次數(shù)，工耗低。與典型的EEPROM AT24C256相比較，F(xiàn)M24C256可跟隨總線速度寫入，無須等待時(shí)間，而AT24C256必須等待幾毫秒（ms）才能進(jìn)行下一步寫操作。FM24C256可讀寫10億次以上，幾乎無限次讀寫。而AT24C256只有10萬之一百萬次讀寫。另外，AT24C256讀寫能量高出FM24C256有2，500倍。從比較中看出，F(xiàn)M24C256包含了RAM技術(shù)優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)擁有ROM技術(shù)的非易失性特點(diǎn)。
三．FM24C256的應(yīng)用：
在儀表設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)的安全存貯非常重要。如電子式電能表，它在運(yùn)行期間時(shí)刻都在記錄數(shù)據(jù)，
如果功能設(shè)計(jì)比較多，那么保存的數(shù)據(jù)量大，擦寫次數(shù)比較多。這要求有一個(gè)高性能的存貯器才能滿足要求。現(xiàn)在的儀表設(shè)計(jì)，壽命要求長(zhǎng)，數(shù)據(jù)保存安全期長(zhǎng)。目前，F(xiàn)M24C256是非常適合儀表設(shè)計(jì)要求的存貯器。它的性能指標(biāo)完全達(dá)到設(shè)計(jì)要求，解決了儀表中的設(shè)計(jì)憂慮。更重要的是，它的存貯時(shí)間短，能夠在極短的時(shí)間內(nèi)保存大量數(shù)據(jù)，解決了儀表在突然斷電時(shí)數(shù)據(jù)及時(shí)、安全的存貯。RAMTRON公司研制的FM24C256，為了普及使用，存貯指令和AT24C256兼容，只是在讀寫指令和應(yīng)答是不需要延時(shí)，提高了擦寫速率。封裝體積、功能管角和AT24C256一樣，使設(shè)計(jì)者容易接受和運(yùn)用。
寫子程序：
WRITE：
CLR1 PM.3 ;;設(shè)置P4.3為輸出狀態(tài)
CLR1 P4.2
CLR1 P4.3
CLR1 P4.1 ；；打開寫保護(hù)
CALL !SENDSTART ；；發(fā)送起始位
MOV A,#10100000B
CALL !SENDCOM ;;發(fā)送寫命令
BC $WNOACKX ；；沒應(yīng)答則錯(cuò)誤返回
NOP
CLR1 P4.2
CLR1 PM4.3 ;; 設(shè)置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,D ;;D中存放所寫單元高地址
CALL !SENDCOM ；；發(fā)送所寫單元高地址
BC $WNOACKX ；；；沒應(yīng)答則錯(cuò)誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設(shè)置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,E ；；;;E中存放所寫單元低地址
CALL !SENDCOM ；；發(fā)送所寫單元低地址
BC $WNOACKX ；；沒應(yīng)答則錯(cuò)誤返回
CLR1 PM4.3 ;; 設(shè)置P4.3為輸出狀態(tài)
MOV A,[HL] ;;[HL] 中存放所寫數(shù)據(jù)
CALL !A24SENDC ；；發(fā)送所寫數(shù)據(jù)
CLR1 CY
SET1 P4.1；；寫保護(hù)
WNOACKX：
SET1 CY
RET
SENDSTART: 發(fā)送起始位子程序
SET1 P4.2
SET1 P4.3 ;;發(fā)起始位
NOP
NOP
CLR1 P4.3
CLR1 4.2
RET
SENDCOM: 發(fā)送命令子程序
CALL !A24SENDC
CLR1 P4.2
SET1 PM4.3 ;;設(shè)置P4.3為輸入狀態(tài)
NOP
NOP
NOP
SET1 4.2
BT P4.3,$DCOM1 ;測(cè)試應(yīng)答信號(hào)，有
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