TMS320C5410燒寫Flash實現(xiàn)并行自舉引導(dǎo)

時間：2024-10-26 00:36:32 理工畢業(yè)論文我要投稿

相關(guān)推薦

摘要：介紹在TMS320C5410環(huán)境下對Am29LV200B Flash存儲器進行程序燒寫，并且實現(xiàn)了TMS320C5410上電后用戶程序并行自舉引導(dǎo)。

　　Flash是一種可在線進行電擦寫，掉電后信息不丟失的存儲器。它具有低功耗、大容量、擦寫速度快等特點，并且內(nèi)部嵌入算法完成對芯片的操作，因而在數(shù)字信號處理系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。本文通過一個完整的實例，介紹Am29LV200B Flash存儲器的燒寫方法，實現(xiàn)TMS320C5410（以下簡稱C5410）上電后用戶程序的并行自舉引導(dǎo)。

1 Am29LV200B Flash存儲器

1.1 Flash存儲器簡介

　　Am29LV200B是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲器，其主要特點有：3 V單電源供電，可使內(nèi)部產(chǎn)生高電壓進行編程和擦除操作；支持JEDEC單電源Flash存儲器標(biāo)準(zhǔn)；只需向其命令寄存器寫入標(biāo)準(zhǔn)的微處理器指令，具體編程、擦除操作由內(nèi)部嵌入的算法實現(xiàn)，并且可以通過查詢特定的引腳或數(shù)據(jù)線監(jiān)控操作是否完成；可以對任一扇區(qū)進行讀、寫或擦除操作，而不影響其它部分的數(shù)據(jù)。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射為C5410的片外數(shù)據(jù)存儲空間，地址為：0x8000~0xFFFF，數(shù)據(jù)總線16位，用于16位方式的并行引導(dǎo)裝載。128K的Flash ROM用32K地址分四頁進行訪問，上電加載程序時使用Flash ROM的第3頁。

1.2 Flash存儲器的操作命令

　　向Flash存儲器的特定寄存器寫入地址和數(shù)據(jù)命令，就可對Flash存儲器編程，但要按一定的順序操作，否則就會導(dǎo)致Flash存儲器復(fù)位。由于編程指令不能使"0"寫為"1"，只能使"1"變?yōu)?0"，而擦除命令可使"0"變?yōu)?1"，所以正確順序是先擦除，后編程。下面就介紹幾個常用的操作命令：編程命令、擦除命令、讀數(shù)據(jù)命令、復(fù)位命令。

　�、� 編程命令。該命令向Flash的指定地址中寫入數(shù)據(jù)，需要四個總線周期，前兩個是解鎖周期，第三個是建立編程命令，最后一個周期完成向編程地址中寫入編程數(shù)據(jù)，如表1所列。

表1 編程命令

周期1(解鎖)2（解鎖）3(建立）4（編程）地址0x5550x2AA0x555pa(編程地址)數(shù)據(jù)0xAA0x550xA0pa(編程數(shù)據(jù))

　　由于向每個編程地址寫入數(shù)據(jù)都需要四個周期，所以在循環(huán)寫Flash時使用宏比較簡單。Flash ROM的首地址為0x8000，故偏移地址0x555對應(yīng)物理地址就為0x8555。編程程序如下：

_WRITECOMMAND .macro pa,pd ;單一周期編程的寫命

；令宏，pa是編程地址，pd是編程數(shù)據(jù)

PSHM AR1

STM pa,AR1 ;AR1指向編程地址

LD pd,A

STL A,*AR1 ;把編程數(shù)據(jù)放入AR1的編程地址中