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AM30L V0064D在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

時(shí)間:2023-03-18 22:37:38 理工畢業(yè)論文 我要投稿
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AM30L V0064D在單片機(jī)系統(tǒng)中的典型應(yīng)用

摘要:AM30LV0064D是AMD公司生產(chǎn)的一種新型超與非(U1traNAND)結(jié)構(gòu)的閃速存儲(chǔ)器(Flash)。本文介紹它的工作原理,以及它與AT89LS8252單片機(jī)的硬件接口電路和PLD內(nèi)部邏輯控制設(shè)計(jì)的代碼,并對(duì)編程操作的軟件流程進(jìn)行了描述。

1 概述

AM30LV0064D是AMD公司生產(chǎn)的一種新型非易失性閃速存儲(chǔ)器;蚍牵∟OR)結(jié)構(gòu)的Flash具有高速的隨機(jī)存取功能,但成本較高;新的UltraNAND結(jié)構(gòu)的Flash相對(duì)于NOR結(jié)構(gòu)的Flash,具有價(jià)格低,容量特別大的優(yōu)勢,支持對(duì)存儲(chǔ)器高速地連續(xù)存取。諞芯片工作電壓范圍在2.7~3.6V,特別適用于需要批量存儲(chǔ)大量代碼或數(shù)據(jù)的語音、圖形、圖像處理場合,在便攜式移動(dòng)存儲(chǔ)和移動(dòng)多媒體系統(tǒng)中應(yīng)用前景廣闊。

2 工作原理與命令字設(shè)置

AM30LV0064D采用與工業(yè)級(jí)NAND結(jié)構(gòu)兼容的UltraNAND結(jié)構(gòu),內(nèi)部包含1024個(gè)存儲(chǔ)塊(單元容量為8K字節(jié) 256字節(jié)緩存);存儲(chǔ)塊中的數(shù)據(jù)按頁存放,每頁可存儲(chǔ)512字節(jié),還有16字節(jié)緩存用作與外部數(shù)據(jù)交換時(shí)的緩沖區(qū),每塊共16頁。所以,主存儲(chǔ)區(qū)一共有16 384數(shù)據(jù)頁,相當(dāng)于64 Mbit的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。

圖1為AM30LV0064D的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和主要引腳示意圖。

圖1 AM30LV0064D的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和主要引腳示意圖

AM30LV0064D的主要引腳定義:

CE--片選使能輸入;

ALE--地址輸入使能;

CLE--命令字輸入使能;

SE--緩沖區(qū)使能輸入,低電平有效;

RE--讀使能輸入,低電平有效;

WE--寫使能輸入,低電平有效;

WP--寫保護(hù)輸入,低電平有效;

RY/BY--內(nèi)部空閑/忙信號(hào)輸出;

I/O7~0--8位數(shù)據(jù)輸入/輸出口;

VCC--3.3V核心電源;

VCCQ--I/O口電源;

VSS--地。

AM30LV0064D的讀、編程和擦寫等操作都可以在3.3V單電源供電狀態(tài)下進(jìn)行,同時(shí)它提供的VCCQ引腳在接5V時(shí),I/O口可兼容5V電平。AM30LV0064D支持對(duì)主存高速地連續(xù)存取和編程操作,連續(xù)讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間可小于50ns/字節(jié)(隨機(jī)讀取數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間為7μs,所以連續(xù)讀取時(shí)第一個(gè)數(shù)據(jù)的響應(yīng)時(shí)間也是7μs);對(duì)Flash的編程是以頁為單位的,步驟是先寫入數(shù)據(jù),再執(zhí)行編程命令,編程速度為200μs/頁(平均約400ns/字節(jié));芯片擦除操作以存儲(chǔ)塊為單位,擦除其中某一塊對(duì)其它存儲(chǔ)塊的數(shù)據(jù)沒有影響,擦除時(shí)間2ms/存儲(chǔ)塊,而且還有延緩擦降/得擦除命令,允許用戶在必要時(shí)暫緩擦除操作,轉(zhuǎn)而處理對(duì)其它存儲(chǔ)塊進(jìn)行數(shù)據(jù)讀、寫、編程等操作;此外,主機(jī)可以通過讀RY/BY引腳狀態(tài)的方法了解Flash內(nèi)部操作是否已經(jīng)完成,RY/BY也可用于實(shí)現(xiàn)硬件判忙接口。AM30LV0064D還具有寫保護(hù)功能,這一功能通過將WP引腳設(shè)為低電平實(shí)現(xiàn)。

圖2 AM30LV0064D應(yīng)用電路

所有操作都建立在命令字基礎(chǔ)上。對(duì)主存操作時(shí),所有命令字都通過芯片的8個(gè)I/O引腳寫到命令寄存器中,激活狀態(tài)機(jī)進(jìn)行相應(yīng)的操作。存儲(chǔ)器地址以及數(shù)據(jù)也從8位I/O腳寫入。對(duì)存儲(chǔ)器地址進(jìn)行連續(xù)操作或?qū)Υ鎯?chǔ)塊操作時(shí)都要先向地址寄存器寫入1個(gè)起始地址。地址分3次寫進(jìn)去,從低字節(jié)開始傳送,具體的地址位傳送順序分配如表1所列。(由于對(duì)存儲(chǔ)器的讀操作分前后2個(gè)半頁,每半頁256字節(jié),在命令字中已經(jīng)包含了此信息,而編程以頁為單位、擦除以塊為單位,所以傳送的地址位中不含A8)

表1 地址分配表

 I/O7I/O6I/O5I/O4I/O3I/O2I/O1I/O0第1周期A7A6A5A4A3A2A1A0第2周期A16A15A14A13A12A11A10A9第3周期××A22A21A20A19A18A17

AM30LV0064D通過片選引腳CE使能,先是CLE和WE信號(hào)有效,通過I/O口寫入命令字;接著ALE和WE有效,寫入數(shù)據(jù)存取的起始地址。最后根據(jù)命令要求,讀數(shù)據(jù)或數(shù)據(jù)。由于具有多元的控制總線,對(duì)應(yīng)AM30LV0064D的操作方式也是多樣的。根據(jù)命令字的定義可進(jìn)行以下操作,如表2所列。

表2 命令字定義表

命令字序列總 線 周 期123456操作數(shù)據(jù)操作數(shù)據(jù)操作數(shù)據(jù)操作數(shù)據(jù)操作數(shù)據(jù)操作數(shù)據(jù)讀數(shù)據(jù)區(qū)-前半頁寫00H寫SA寫SA寫SA讀數(shù)據(jù)Etc.Etc.讀數(shù)據(jù)-后半頁寫01H寫SA寫SA寫SA讀數(shù)據(jù)Etc.Etc.讀數(shù)據(jù)-無縫隙讀寫02H寫SA寫SA寫SA讀數(shù)據(jù)Etc.Etc.讀預(yù)留區(qū)寫50H寫SA寫SA寫SA讀數(shù)據(jù)Etc.Etc.讀ID號(hào)寫90H寫00H讀01H讀E6H    讀狀態(tài)寫70H讀SREtc.Etc.   

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