Flash存儲(chǔ)器在TMS320C3x系統(tǒng)中的應(yīng)用

時(shí)間：2023-03-18 22:36:26 理工畢業(yè)論文我要投稿

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摘要：以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型，介紹AMD公司的Flash存儲(chǔ)器Am29F040的原理和應(yīng)用；利用它操作過程實(shí)現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在Flash存儲(chǔ)器內(nèi)的特性，結(jié)合TMS320C3x提出實(shí)現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動(dòng)引導(dǎo)的方法。

引言

在對(duì)電力系統(tǒng)斷路器的狀態(tài)監(jiān)測(cè)過程中，需要對(duì)故障數(shù)據(jù)進(jìn)行保存，以便于查撲克；在則故障期間難免會(huì)出現(xiàn)停機(jī)的現(xiàn)象，因此，如何在斷電的狀態(tài)下保存數(shù)據(jù)，就成為一個(gè)關(guān)鍵問題。對(duì)于故障出現(xiàn)的監(jiān)測(cè)裝置必須滿足兩個(gè)基本的特性——實(shí)時(shí)性和快速性。這兩種特性都需要以快速處理大量的數(shù)據(jù)信息為基礎(chǔ)，所以我們采用數(shù)據(jù)信號(hào)處理DSP來滿足這方面的要求�，F(xiàn)在，閃存（Flash Memory）已經(jīng)成為DSP系統(tǒng)的一個(gè)基本的配置。

這里Flash存儲(chǔ)器主要用來存放用戶程序代碼。一般來說，將用戶需要的程序代碼裝入Flash存儲(chǔ)器有三種方法：一種是在存儲(chǔ)器出廠前將數(shù)據(jù)寫入；一種是用戶使用編程器自己編程；最后一種是將存儲(chǔ)器安裝在用戶電路板后進(jìn)行編程。隨著芯片制造工藝的提高，芯片的集成度也越來越高，使Flash存儲(chǔ)器正在向小型化、帖片式方向發(fā)展。本文結(jié)合TMS320C3x系列的DSP上電引導(dǎo)表產(chǎn)生方法，討論AMD公司生產(chǎn)的Am29F040閃存在系統(tǒng)中的編程方法。

1 Flash存儲(chǔ)器Am29F040

Am29F040是AMD公司生產(chǎn)的Flash存儲(chǔ)器，主要作用是固化程序和保存歷史數(shù)據(jù)，也就是開機(jī)后執(zhí)行閃存的程序，并在程序執(zhí)行的過程中實(shí)時(shí)地保存或修改其內(nèi)部的數(shù)據(jù)單元。

下面首先介紹Am29F040的特點(diǎn)和操作。

Am29F040是采用5V單電源供電的可編程只讀存儲(chǔ)器，是一種電可擦除與重新編程的器件。該器件由8個(gè)獨(dú)立的64K字節(jié)塊組成，訪問速度為55～150ns。片內(nèi)的狀態(tài)機(jī)編程和擦除器件、嵌入式字節(jié)編程與區(qū)段/芯片擦除功能是全自動(dòng)的。內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示。

A0～A18：地址線。其中A8～A18提供存儲(chǔ)區(qū)地址，行地址確定所在扇區(qū)；A0～A7選定其扇區(qū)的一個(gè)字節(jié)，扇區(qū)容量是256字節(jié)。

DQ0～DQ7：數(shù)據(jù)輸入/輸出。在讀周期輸出數(shù)據(jù)；

在寫周期接收數(shù)據(jù)。寫過程中寫入的數(shù)據(jù)被內(nèi)部鎖存。

CE：輸入，芯片使能，低電平時(shí)選中該器件。

OE：輸入，輸出使能，低電平時(shí)打開數(shù)據(jù)輸出緩沖區(qū)，允許讀操作。

WE：輸入，寫使能，低電平時(shí)允許寫操作。

Vcc為5V電源。Vss為地。

工用方式有讀方式、待機(jī)方式、輸出禁止及算法選擇。

例如，對(duì)于寫操作的編程命令，如表1所列。

其中：RA為被讀出的存儲(chǔ)單元地址；

PA為被編程的存儲(chǔ)單元地址；

RD為所選地址單元被讀出的數(shù)據(jù)；

PD為所選地址單元被編程的數(shù)據(jù)。

除編程地址、區(qū)段地址和讀地址之外的所有總線周期地址，地址引腳A18、A17、A16、A15為高或低。

下面以命令表的編程命令為例。簡要介紹字節(jié)編程。表1所列命令是一個(gè)4總線周期指令。首先，在地址5555H寫入數(shù)據(jù)0AAH，地址2AAAH寫入數(shù)據(jù)055H，再在地址5555H寫入數(shù)據(jù)A0H，最后是編程的地址和數(shù)據(jù)。

表1 軟件命令簡表

命令總線周期第一周期第二周期第三周期第四周期地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)地址數(shù)據(jù)讀/復(fù)位1XXXXHF0H　　　　　　讀/復(fù)位45555HAAH2AAAH55H5555HF0HRARD算法選擇45555HAAH2AAAH55H5555H90HRARD字節(jié)編程45555HAAH2AAAH55H5555HA0HPAPD

對(duì)于芯片擦除功能，自動(dòng)地提供編程和電擦除之前，校驗(yàn)所有存儲(chǔ)單元所需的電壓和時(shí)序，然后自動(dòng)擦除并校驗(yàn)單元界限。利用數(shù)據(jù)輪詢（datapolling）特性，可以監(jiān)視自動(dòng)芯片擦除操作期間器件的狀態(tài)，以檢驗(yàn)操作是否完成。

程序如下：

int Chip_Erase()

{

(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*寫芯片擦除命令部分*/

*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x80808080;

*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA;

*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x10101010;

while((*int)0x00005555

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