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全橋驅(qū)動(dòng)器芯片UBA2032T/UBA2032TS
摘要:飛利浦公司采用EZ-HV SOI工藝制造的全橋驅(qū)動(dòng)器UBA2032T/TS可用于驅(qū)動(dòng)任何一類(lèi)負(fù)載,尤其適合于驅(qū)動(dòng)HID燈。文中介紹了UBA2032T/TS的功能特點(diǎn),給出了它的典型應(yīng)用電路。1 概述
飛利浦公司推出的UBA2032高壓?jiǎn)纹桑檬遣捎茫牛冢龋?SO1工藝制造的一種高壓全橋驅(qū)動(dòng)器。UBA2032在全橋拓?fù)渲型ㄟ^(guò)外部MOSFET可以驅(qū)動(dòng)任何一種負(fù)載,尤其適用于驅(qū)動(dòng)高強(qiáng)度的放電?HID?燈?如高壓鈉燈和金鹵燈?換向器等?commutator?。UBA2032的主要特點(diǎn)如下:
●內(nèi)置自舉二極管和高壓電平移位器;
●橋路電壓最高可達(dá)550V,并可直接從IC的HV腳輸入高壓,以為內(nèi)部電路產(chǎn)生低工作電壓,而無(wú)需附加低壓電源;
●帶輸入啟動(dòng)延時(shí),可利用簡(jiǎn)單的RC濾波器或來(lái)自處理器的控制信號(hào)產(chǎn)生延遲;
●振蕩器頻率可調(diào)節(jié);
●只要BD腳上電壓超過(guò)橋路截止門(mén)限?1.29V?,所有MOSFET都將被關(guān)斷;
●為保證50%的占空因數(shù),振蕩器信號(hào)在饋送到輸出驅(qū)動(dòng)器之前應(yīng)通過(guò)除法器;
●非交疊?non-overlap?時(shí)間可由自適應(yīng)非交疊電路控制,最小非交疊時(shí)間可在內(nèi)部固定;
●采用24腳SO封裝?UBA2032T?和28腳SSOP封裝?UBA2032TS?,引腳排列如圖1所示。
圖2 UBA2C32T/TS內(nèi)部結(jié)構(gòu)方框圖
2 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及工作原理
2.1 內(nèi)部結(jié)構(gòu)及引腳功能
UBA2032片內(nèi)集成有電壓穩(wěn)壓器、振蕩器、輸入信號(hào)延遲和橋路禁止電路、控制邏輯、高/低壓電平移位器、高端左/右驅(qū)動(dòng)器和低端左/右驅(qū)動(dòng)器等單元電路,圖2所示是其內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖。表1所列是UBA2032的各引腳功能。
表1 UBA2032的引腳功能
功 能
UBA2032TUBA2032TS-LVS11邏輯輸入負(fù)電源電壓EXTRD22振蕩器信號(hào)輸入 LVS33邏輯輸入正電源電壓n.c4,6,16,19,214,5,7,18,19,22,24,25空腳HV56內(nèi)部低電源電壓產(chǎn)生引腳VDD79內(nèi)部低電源電壓SU810啟動(dòng)延時(shí)輸入信號(hào)DD911除法器禁止控制輸入BD1012橋路禁止控制輸入RC1113內(nèi)部振蕩器RC輸入SGND1214信號(hào)地GHL1315高端左邊MOSFET柵極FSL1416左邊浮置電源電壓SHL1517高端左邊MOSFET源極GLL1720低端左邊MOSFET柵極PGND1921功率地GLR2023低端右邊MOSFET柵極SHR2226高端右邊MOSFET源極FSR2327右邊浮置電源電壓GHR2428高端右邊MOSFET柵極表2 邏輯關(guān)系
器件狀態(tài)輸入(腳)輸出(腳)BDSUDDEXTDRGHLGHRGLLGLR啟動(dòng)HXXXLLLLLXXXLLHH振蕩HXXXLLLLLLXXLLHHLHHGLHHLLHLLHLHLLHLLHLHHLLHHHLLHHLLHHL備注:H為高電平;L為低電平;X表示無(wú)關(guān)
2.2 工作原理
UBA2032既可從HV腳施加電壓以產(chǎn)生內(nèi)部低電源電壓VDD?11.5±2V?,也可將低壓電源直接連接到VDD腳?此情況下HV腳必須連接到腳VDD或SGND?。當(dāng)VDD腳或HV腳上的電壓高于釋放功率驅(qū)動(dòng)電平?典型值分別為9V和12.5V?時(shí),橋路輸出電壓將由EXTDR腳上的控制信號(hào)來(lái)決定。表2列出了IC的狀態(tài)及輸入/輸出之間的邏輯關(guān)系。一旦腳VDD或HV上的電壓降至功率驅(qū)動(dòng)復(fù)位電平?分別為6.5V和10V?以下,IC將進(jìn)入再次啟動(dòng)狀態(tài)。
當(dāng)腳HV電壓穿越釋放功率驅(qū)動(dòng)電平時(shí),橋路將按照以下兩點(diǎn)確定狀態(tài)換向:
(1)高端左邊和低端右邊MOSFET導(dǎo)通,高端右邊和低端左邊MOSFET截止;
(2)高端左邊和低端右邊MOSFET截止,高端右邊和低端左邊MOSFET導(dǎo)通。
UBA2032可以在三種不同模式下產(chǎn)生振蕩:
第一種是內(nèi)部振蕩器模式。在該模
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