微機械器件和微電子機械系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)論文
現(xiàn)階段我國的科學(xué)技術(shù)不斷發(fā)展，社會也在日益進步，微機械技術(shù)也在不斷發(fā)展，微機械技術(shù)是致力于研究、生產(chǎn)微機械器件以及微電子機械系統(tǒng)的主要技術(shù)。
下面本文調(diào)查分析了幾個微機械技術(shù)單位在一段時間內(nèi)微機械技術(shù)方面主要的研究成果，重點意在介紹計數(shù)單位首創(chuàng)的準(zhǔn)三維加工技術(shù)、硅三維結(jié)構(gòu)無掩模腐蝕技術(shù)和硅低溫直接鍵合技術(shù)，這也是我國微機械器件和微電子機械系統(tǒng)中最主要的幾項技術(shù)，促進我國微機械單位的不斷發(fā)展和我國科學(xué)技術(shù)的進步。
自二十世紀(jì)以來，我國我電子技術(shù)以及集成電路技術(shù)就開始不斷發(fā)展，這也是人類文明發(fā)展過程中的重要基礎(chǔ)技術(shù)，由此可見微機械的重要性不言而喻。這些技術(shù)不斷發(fā)展最終退出了微機械技術(shù)，并且微機械在未來的發(fā)展過程中與微電子技術(shù)相結(jié)合，成就了微電子機械系統(tǒng)，這樣巧妙的結(jié)合再一次引起人們科技化發(fā)展的巨大震撼。
由此的發(fā)展，人們都認(rèn)定微機械器件與微電子機械相結(jié)合將會帶來更大的突破。下面本文針對這一發(fā)展前景展開討論，希望能夠為我國科學(xué)技術(shù)的發(fā)展做出貢獻。
1微電子機械系統(tǒng)的概念
微電子機械系統(tǒng)所指的就是在大小毫米量級之下，最終形成的可以控制能夠運動的微型機電裝置是由單元尺寸需要在可控制的微米和納米之間，是一個整體的系統(tǒng)，把微機構(gòu)、微傳感器，以及微執(zhí)行器還有信號處理系統(tǒng)等等構(gòu)成。在不同的國家對于微電子機械系統(tǒng)的稱呼有所不同，
2微電子機械系統(tǒng)的發(fā)展歷程
微機械器件以及微電子機械系統(tǒng)在生產(chǎn)加工的過程中需要對其深加工技術(shù)進行研究和重視。在研究中開始逐漸的形成了微電子加工技術(shù)和微機械裝置加工技術(shù)。并隨著對技術(shù)的細(xì)分，開始形成了體微機械技術(shù)以及外輪廓表面微機械裝置技術(shù)，并同時也產(chǎn)生了LIGA機械裝置技術(shù)以及高標(biāo)準(zhǔn)的LIGA機械裝置技術(shù)。對其體微機械技術(shù)按照實施的目標(biāo)對象機械能分析，可以得出體硅單晶體為核心構(gòu)成體并在其物理測量厚度的`10到999單位內(nèi)呈現(xiàn)規(guī)則布局分離， 為其核心的技術(shù)策略單位。
并對其技術(shù)中存在的腐蝕以及吻合問題進行布局的考慮。對其技術(shù)的優(yōu)勢分析得出，其裝置的工藝相對不繁瑣，但其操控性和調(diào)控性數(shù)值偏低。在表面微機械裝置中，進行相應(yīng)的IC技術(shù)加工，如采用擴散光學(xué)和標(biāo)準(zhǔn)尺寸對應(yīng)光刻以及復(fù)膜層疊等技術(shù)運用中，其都會對原有的 厚度比率進行微調(diào)，對其在剝離技術(shù)中和進行切割技術(shù)的分析[1]。
其技術(shù)的有點在于對IC技術(shù)有相對完整的包容性，但存在的不足點也較為顯著，如切割的縱向 厚度單位偏低，在電光鑄模和縮微成型以及耐溫差等方面存在一定的技術(shù)局限。
LIGA技術(shù)在德文X射線進行曝光和電光鑄模中有其良好的優(yōu)越性，其對設(shè)備的制取尺寸在1 單位內(nèi)到999 單位內(nèi)。但需要指出LIGA技術(shù)處于高成本和高復(fù)雜度的技術(shù)，并需要采用相對保守的紫外線深度曝光，保障其光刻效果和覆膜效果。而準(zhǔn)LIGA技術(shù)在對設(shè)備加工中可以在最合理控制 尺寸中，保障其電路集成后續(xù)裝置獲得合理的配置[2]。因而其技術(shù)的優(yōu)勢在微機械技術(shù)中可以獲得關(guān)注度的展現(xiàn)。
2.1自動對焦的三維加工技術(shù)
目前自對準(zhǔn)的準(zhǔn)三維加工技術(shù)普遍采用深度的紫外線厚度型進行光度的曝光刻度，并進行膠模的處理，保證其在犧牲層和結(jié)構(gòu)層獲得合理的電鑄，并利用其兩層的金屬電鑄特帶你，獲得犧牲層厚度的保障，并進行微結(jié)構(gòu)的自動對準(zhǔn)技術(shù)保障[3]。
因而CU可以表示為犧牲層，NI為結(jié)構(gòu)層的技術(shù)，并在其平面和垂直兩方向性獲得控制，在其CU和NI中進行電鑄處理，使得其種子層和型模層獲得兩種電鑄金屬處理，讓技術(shù)水平在微架構(gòu)層面獲得統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)化套準(zhǔn)對應(yīng)。在其腐蝕性選擇上要對其液體進行考慮，CI屬于腐蝕性，NI不屬于腐蝕性，并對其微機械機構(gòu)進行終止惰性反應(yīng)。其配套技術(shù)以及Ic工藝獲得最大化的包容，在溫度上控制在85攝氏度，獲得對結(jié)構(gòu)合理的微機械技術(shù)。其深度的單位測定在22 ，保障其后續(xù)的標(biāo)準(zhǔn)對應(yīng)后其范圍空載在49 到101 內(nèi)。
準(zhǔn)LIGA技術(shù)需要在工藝布局考慮中，首先要保障(a)低阻硅片(10-3 cm)，其熱氧化反映在1.5 ，其厚度在SIO2其需要把定子對襯低的外圓位置進行確定。同時進行首次的光學(xué)刻，SIO2腐蝕出進行1.2 各坑道處理。
形成在轉(zhuǎn)子下部的新支撐點確定。在除去膠緣后，在真空中進行高溫處理形成0.3 的銅電鑄種子層。在第二次光學(xué)刻錄中，要對尺寸厚光刻膠AZ4620進行轉(zhuǎn)子膠模處理，保障其電光鑄在3 內(nèi)進行轉(zhuǎn)子保障。后進行第三次的光刻，在其厚度尺寸中選擇光學(xué)刻錄定子膠模處理，保障其厚度在2.5 范圍內(nèi)。形成銅犧牲層的轉(zhuǎn)子和釘子的轉(zhuǎn)化變化，對其空隙中要包容其電鑄在1.5 釘子范圍。
在最后一次光刻中，要對其厚膠光學(xué)刻錄后，對其1.3 銅都犧牲層要進行間隙轉(zhuǎn)化的電鑄考慮。并用起腐蝕性的液進行HF緩沖液體的處理，通過SIO2合理的釋放轉(zhuǎn)化的轉(zhuǎn)子。其微機械技術(shù)在應(yīng)用中可以獲得廣泛的推崇，靜電驅(qū)動鎳晃動微馬達(dá)為例，其自對準(zhǔn)的準(zhǔn)三維加工技術(shù)目前在實際應(yīng)用中哥已經(jīng)獲得鎳晃動馬達(dá)。用電鑄Cu作犧牲層，電鑄Ni作結(jié)構(gòu)層(定子、轉(zhuǎn)子和軸)，得到的轉(zhuǎn)子與定子。各項參數(shù)都符合標(biāo)準(zhǔn)。
3 結(jié)語
綜上所述，我國的科學(xué)技術(shù)水平一直在不斷的發(fā)展，由此微電子機械系統(tǒng)也在持續(xù)的發(fā)展?fàn)顟B(tài)下，由于近二十年間我國微電子機械系統(tǒng)發(fā)展相對比較慢。
主要也是由于技術(shù)掌握的不夠嫻熟，現(xiàn)階段我國也在向發(fā)達(dá)國家學(xué)習(xí)，所以在微電子機械系統(tǒng)的領(lǐng)域中，發(fā)展速度也在不斷加快。這也為我國科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域做出一個良好的榜樣，給未來的微電子機械技術(shù)的前進道路打下良好的基礎(chǔ)。為我國提高綜合國力以及經(jīng)濟迅速發(fā)展做出良好的貢獻。
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