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電子類行業(yè)公司筆試題
在日復一日的學習、工作生活中，我們最不陌生的就是試題了，借助試題可以更好地檢查參考者的學習能力和其它能力。大家知道什么樣的試題才是好試題嗎？下面是小編精心整理的電子類行業(yè)公司筆試題，供大家參考借鑒，希望可以幫助到有需要的朋友。
電子類行業(yè)公司筆試題 1
一、模擬電路
1、基爾霍夫定理的內(nèi)容是什么？（仕蘭微電子）
基爾霍夫電流定律是一個電荷守恒定律即在一個電路中流入一個節(jié)點的電荷與流出同一個節(jié)點的電荷相等。
基爾霍夫電壓定律是一個能量守恒定律即在一個回路中回路電壓之和為零。
2、平板電容公式(C=εS/4πkd)。（未知）
3、最基本的如三極管曲線特性。（未知）
4、描述反饋電路的概念，列舉他們的應(yīng)用。（仕蘭微電子）
5、負反饋種類（電壓并聯(lián)反饋，電流串聯(lián)反饋，電壓串聯(lián)反饋和電流并聯(lián)反饋）；負反饋的優(yōu)點（降低放大器的增益靈敏度，改變輸入電阻和輸出電阻，改善放大器的線性和非 線性失真，有效地擴展放大器的通頻帶，自動調(diào)節(jié)作用）（未知）
6、放大電路的頻率補償?shù)哪康氖鞘裁�，有哪些方法？（仕蘭微電子）
7、頻率響應(yīng)，如：怎么才算是穩(wěn)定的，如何改變頻響曲線的幾個方法。（未知）
8、給出一個查分運放，如何相位補償，并畫補償后的波特圖。（凹凸）
9、基本放大電路種類（電壓放大器，電流放大器，互導放大器和互阻放大器），優(yōu)缺點，特別是廣泛采用差分結(jié)構(gòu)的原因。（未知）
10、給出一差分電路，告訴其輸出電壓Y 和Y-求共模分量和差模分量。（未知）
11、畫差放的兩個輸入管。（凹凸）
12、畫出由運放構(gòu)成加法、減法、微分、積分運算的電路原理圖。并畫出一個晶體管級的 運放電路。（仕蘭微電子）
13、用運算放大器組成一個10倍的放大器。（未知）
14、給出一個簡單電路，讓你分析輸出電壓的特性（就是個積分電路），并求輸出端某點 的rise/fall時間。(Infineon筆試試題)
15、電阻R和電容C串聯(lián)，輸入電壓為R和C之間的電壓，輸出電壓分別為C上電壓和R上電壓，要求制這兩種電路輸入電壓的頻譜，判斷這兩種電路何為高通濾波器，何為低通濾波器。當RC18、說說靜態(tài)、動態(tài)時序模擬的優(yōu)缺點。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
19、一個四級的Mux其中第二級信號為關(guān)鍵信號 如何改善timing。（威盛VIA2003.11.06 上海筆試試題）
20、給出一個門級的圖，又給了各個門的傳輸延時，問關(guān)鍵路徑是什么，還問給出輸入，使得輸出依賴于關(guān)鍵路徑。（未知）
21、邏輯方面數(shù)字電路的卡諾圖化簡，時序（同步異步差異），觸發(fā)器有幾種（區(qū)別，優(yōu)點），全加器等等。（未知）
22、卡諾圖寫出邏輯表達使。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
23、化簡F(ABCD)= m(1345101112131415)的和。（威盛）
24、please show the CMOS inverter schmaticlayout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall timeplease define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、為什么一個標準的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大？（仕蘭微電子）
27、用mos管搭出一個二輸入與非門。（揚智電子筆試）
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.(less delay time)。（威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09）
29、畫出NOTNANDNOR的符號，真值表，還有transistor level的電路。（Infineon筆試） 30、畫出CMOS的圖，畫出tow-to-one mux gate。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
31、用一個二選一mux和一個inv實現(xiàn)異或。（飛利浦－大唐筆試）
32、畫出Y=A*B C的cmos電路圖。（科廣試題）
33、用邏輯們和cmos電路實現(xiàn)ab cd。（飛利浦－大唐筆試）
34、畫出CMOS電路的晶體管級電路圖，實現(xiàn)Y=A*B C(D E)。（仕蘭微電子）
35、利用4選1實現(xiàn)F(xyz)=xz yz’。（未知）
36、給一個表達式f=xxxx xxxx xxxxx xxxx用最少數(shù)量的與非門實現(xiàn)（實際上就是化簡）。
37、給出一個簡單的由多個NOTNANDNOR組成的'原理圖，根據(jù)輸入波形畫出各點波形。（Infineon筆試）
38、為了實現(xiàn)邏輯（A XOR B）OR （C AND D），請選用以下邏輯中的一種，并說明為什么？1）INV 2）AND 3）OR 4）NAND 5）NOR 6）XOR 答案：NAND（未知）
39、用與非門等設(shè)計全加法器。（華為）
40、給出兩個門電路讓你分析異同。（華為）
41、用簡單電路實現(xiàn)，當A為輸入時，輸出B波形為…（仕蘭微電子）
42、ABCDE進行投票，多數(shù)服從少數(shù)，輸出是F（也就是如果ABCDE中1的個數(shù)比0 多，那么F輸出為1，否則F為0），用與非門實現(xiàn)，輸入數(shù)目沒有限制。（未知）
43、用波形表示D觸發(fā)器的功能。（揚智電子筆試）
44、用傳輸門和倒向器搭一個邊沿觸發(fā)器。（揚智電子筆試）
45、用邏輯們畫出D觸發(fā)器。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
46、畫出DFF的結(jié)構(gòu)圖用verilog實現(xiàn)之。（威盛）
47、畫出一種CMOS的D鎖存器的電路圖和版圖。（未知）
48、D觸發(fā)器和D鎖存器的區(qū)別。（新太硬件面試）
49、簡述latch和filp-flop的異同。（未知）
&e1]5Tv&n.g*_1D+J50、LATCH和DFF的概念和區(qū)別。（未知）
51、latch與register的區(qū)別為什么現(xiàn)在多用register.行為級描述中l(wèi)atch如何產(chǎn)生的。（南山之橋）
52、用D觸發(fā)器做個二分顰的電路.又問什么是狀態(tài)圖。（華為）
53、請畫出用D觸發(fā)器實現(xiàn)2倍分頻的邏輯電路？（漢王筆試）
54、怎樣用D觸發(fā)器、與或非門組成二分頻電路？（東信筆試）
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分頻？
56、用filp-flop和logic-gate設(shè)計一個1位加法器，輸入carryin和current-stage，輸出carryout和next-stage. （未知）
57、用D觸發(fā)器做個4進制的計數(shù)。（華為）
58、實現(xiàn)N位Johnson CounterN=5。（南山之橋）
59、用你熟悉的設(shè)計方式設(shè)計一個可預置初值的7進制循環(huán)計數(shù)器，15進制的呢？（仕蘭微電子）
60、數(shù)字電路設(shè)計當然必問Verilog/VHDL，如設(shè)計計數(shù)器。（未知）
61、BLOCKING NONBLOCKING 賦值的區(qū)別。（南山之橋）
62、寫異步D觸發(fā)器的verilog module。（揚智電子筆試）
module dff8(clk reset d q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
L.W/\.~)R!
q <= d;
&c I!K\;
63、用D觸發(fā)器實現(xiàn)2倍分頻的Verilog描述？ （漢王筆試）
module divide2( clk clk_o reset);
input clk reset;
output clk_o;
wire in;
out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0; else
64、可編程邏輯器件在現(xiàn)代電子設(shè)計中越來越重要，請問：a) 你所知道的可編程邏輯器件有哪些？ b) 試用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D觸發(fā)器邏輯。（漢王筆試）
)rTy)d:S:a0VPAL，PLD，CPLD，F(xiàn)PGA。
module dff8(clk reset d q);
input clk;
7B*M"D9t"Q*jinput reset;
input d;
&O.A%H1k/s8Voutput q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
p8wPS2pelse
q <= d;
65、請用HDL描述四位的全加法器、5分頻電路。（仕蘭微電子）
67、用VERILOG或VHDL寫一段代碼，實現(xiàn)消除一個glitch。（未知）
68、一個狀態(tài)機的題目用verilog實現(xiàn)（不過這個狀態(tài)機畫的實在比較差，很容易誤解的）。（威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題）
69、描述一個交通信號燈的設(shè)計。（仕蘭微電子）
70、畫狀態(tài)機，接受1，2，5分錢的賣報機，每份報紙5分錢。（揚智電子筆試）
9p-g0]/V*U8U7v*.com.cn71、設(shè)計一個自動售貨機系統(tǒng)，賣soda水的，只能投進三種硬幣，要正確的找回錢數(shù)。（1）畫出fsm（有限狀態(tài)機）；（2）用verilog編程，語法要符合fpga設(shè)計的要求。（未知）
72、設(shè)計一個自動飲料售賣機，飲料10分錢，硬幣有5分和10分兩種，并考慮找零：（1）畫出fsm（有限狀態(tài)機）；（2）用verilog編程，語法要符合fpga設(shè)計的要求；（3）設(shè)計工程中可使用的工具及設(shè)計大致過程。（未知）
73、畫出可以檢測10010串的狀態(tài)圖并verilog實現(xiàn)之。（威盛）
74、用FSM實現(xiàn)101101的序列檢測模塊。（南山之橋）
a為輸入端，b為輸出端，如果a連續(xù)輸入為1101則b輸出為1，否則為0。例如a： 0001100110110100100110
b： 0000000000100100000000
請畫出state machine；請用RTL描述其state machine。（未知）
電子類行業(yè)公司筆試題 2
一、選擇題
1.光通量的單位是（ B ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
2. 輻射通量φe的單位是（ B ）
A 焦耳 (J) B 瓦特 (W) C每球面度 (W/Sr) D坎德拉(cd)
3.發(fā)光強度的單位是（ A ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
4.光照度的單位是（ D ）.
A.坎德拉 B.流明 C.熙提 D.勒克斯
5.激光器的構(gòu)成一般由（ A ）組成
A.激勵能源、諧振腔和工作物質(zhì) B.固體激光器、液體激光器和氣體激光器
C.半導體材料、金屬半導體材料和PN結(jié)材料 D. 電子、載流子和光子
6. 硅光二極管在適當偏置時，其光電流與入射輻射通量有良好的線性關(guān)系，且動態(tài)范圍較大。適當偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
7.2009年10月6日授予華人高錕諾貝爾物理學獎，提到光纖以SiO2為材料的主要是由于（ A ）
A.傳輸損耗低 B.可實現(xiàn)任何光傳輸 C.不出現(xiàn)瑞利散射 D.空間相干性好
8.下列哪個不屬于激光調(diào)制器的是（ D ）
A.電光調(diào)制器 B.聲光調(diào)制器 C.磁光調(diào)制器 D.壓光調(diào)制器
9.電光晶體的非線性電光效應(yīng)主要與（ C ）有關(guān)
A.內(nèi)加電場 B.激光波長 C.晶體性質(zhì) D.晶體折射率變化量
10.激光調(diào)制按其調(diào)制的性質(zhì)有（ C ）
A.連續(xù)調(diào)制 B.脈沖調(diào)制 C.相位調(diào)制 D.光伏調(diào)制
11.不屬于光電探測器的是（ D ）
A.光電導探測器 B.光伏探測器 C.光磁電探測器 D.熱電探測元件
12.CCD 攝像器件的信息是靠（ B ）存儲
A.載流子 B.電荷 C.電子 D.聲子
13.LCD顯示器，可以分為（ ABCD ）
A. TN型 B. STN型 C. TFT型 D. DSTN型
14.摻雜型探測器是由（ D ）之間的電子-空穴對符合產(chǎn)生的，激勵過程是使半導體中的載
流子從平衡狀態(tài)激發(fā)到非平衡狀態(tài)的激發(fā)態(tài)。
A.禁帶 B.分子 C.粒子 D.能帶
15.激光具有的優(yōu)點為相干性好、亮度高及（ B ）
A色性好 B單色性好 C 吸收性強 D吸收性弱
16.紅外輻射的波長為（ D ）.
A 100-280nm B 380-440 nm C 640-770 nm D 770-1000 nm
17.可見光的波長范圍為（ C ）.
A 200—300nm B 300—380nm C 380—780nm D 780—1500nm
18.一只白熾燈，假設(shè)各向發(fā)光均勻，懸掛在離地面1.5m的高處，用照度計測得正下方地面
的照度為30lx，該燈的光通量為（ A ）.
A .848lx B .212lx C .424lx D .106lx
19.下列不屬于氣體放電光源的是（ D ）.
A .汞燈 B .氙燈 C .鉈燈 D .鹵鎢燈
20.ＬＣＤ是（ Ａ ）
A.液晶顯示器 B.光電二極管 C.電荷耦合器件 D.硅基液晶顯示器
21.25mm的視像管，靶面的有效高度約為10mm，若可分辨的最多電視行數(shù)為400，則相當于（ A ）線對/mm.
A.16 B.25 C.20 D.18
22. 光電轉(zhuǎn)換定律中的光電流與 ( B ) .
A 溫度成正比 B光功率成正比 C暗電流成正比 D光子的能量成正比
23. 發(fā)生拉曼—納斯衍射必須滿足的條件是( A )
A 超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長度短
B 超聲波頻率高，光波平行聲波面入射，聲光作用長度短
C 超聲波頻率低，光波平行聲波面入射，聲光作用長度長
D 超聲波頻率低，光束與聲波面間以一定角度入射，聲光作用長度短
24.光束調(diào)制中，下面不屬于外調(diào)制的是 ( C )
A 聲光調(diào)制 B 電光波導調(diào)制 C 半導體光源調(diào)制 D 電光強度調(diào)制
25.激光具有的優(yōu)點為相干性好、亮度高及 ( B )
A 多 色性好 B單色性好 C 吸收性強 D吸收性弱
26.能發(fā)生光電導效應(yīng)的半導體是 ( C )
A本征型和激子型 B本征型和晶格型 C本征型和雜質(zhì)型 D本征型和自由載流子型
27.電荷耦合器件分 ( A )
A 線陣CCD和面陣CCD B 線陣CCD和點陣CCD
C 面陣CCD和體陣CCD D 體陣CCD和點陣CCD
28.電荷耦合器件的工作過程主要是信號的產(chǎn)生、存儲、傳輸和( C )
A 計算 B 顯示 C 檢測 D 輸出
29.光電探測器的性能參數(shù)不包括（D）
A光譜特性 B光照特性 C光電特性 D P-I特性
30.光敏電阻與其他半導體電器件相比不具有的特點是（B）
A.光譜響應(yīng)范圍廣 B.閾值電流低 C.工作電流大 D.靈敏度高
31.關(guān)于LD與LED下列敘述正確的是（C）
A. LD和LED都有閾值電流 B .LD調(diào)制頻率遠低于LED C. LD發(fā)光基于自發(fā)輻射
D .LED可發(fā)出相干光
32.光敏電阻的光電特性由光電轉(zhuǎn)換因子描述，在強輻射作用下（A ）
A. ?=0.5 B.? =1 C. ?=1.5 D. ?=2
33.硅光二極管主要適用于[D]
A紫外光及紅外光譜區(qū) B可見光及紫外光譜區(qū) C可見光區(qū) D 可見
光及紅外光譜區(qū)
34.硅光二極管主要適用于[D]
A紫外光及紅外光譜區(qū) B可見光及紫外光譜區(qū) C可見光區(qū) D 可見
光及紅外光譜區(qū)
35.光視效能K為最大值時的波長是（A ）
A．555nm B.666nm C．777nm D.888nm
36. 對于P型半導體來說，以下說法正確的是 （D）
A 電子為多子 B 空穴為少子
C 能帶圖中施主能級靠近于導帶底 D 能帶圖中受主能級靠近于價帶頂
37. 下列光電器件, 哪種器件正常工作時需加100-200V的高反壓 （C）
A Si光電二極管 B PIN光電二極管 C 雪崩光電二極管 D 光電三極管
38. 對于光敏電阻，下列說法不正確的是： （D）
A 弱光照下，光電流與照度之間具有良好的線性關(guān)系
B 光敏面作成蛇形，有利于提高靈敏度
C 光敏電阻具有前歷效應(yīng)
D 光敏電阻光譜特性的峰值波長，低溫時向短波方向移動
39. 在直接探測系統(tǒng)中, (B)
A 探測器能響應(yīng)光波的`波動性質(zhì), 輸出的電信號間接表征光波的振幅、頻率和相位
B 探測器只響應(yīng)入射其上的平均光功率
C 具有空間濾波能力
D 具有光譜濾波能力
40. 對于激光二極管（LD）和發(fā)光二極管（LED）來說，下列說法正確的是（D）
A LD只能連續(xù)發(fā)光 B LED的單色性比LD要好
C LD內(nèi)部可沒有諧振腔 D LED輻射光的波長決定于材料的禁帶寬
41. 對于N型半導體來說，以下說法正確的是 （A）
A 費米能級靠近導帶底 B 空穴為多子
C 電子為少子 D 費米能級靠近靠近于價帶頂
42. 依據(jù)光電器件伏安特性, 下列哪些器件不能視為恒流源: （D）
A 光電二極管 B 光電三極管
C 光電倍增管 D 光電池
43. 硅光二極管在適當偏置時，其光電流與入射輻射通量有良好的線性關(guān)系，且動態(tài)范圍較大。適當偏置是 （D）
A 恒流 B 自偏置 C 零伏偏置 D 反向偏置
44. 有關(guān)熱電探測器, 下面的說法哪項是不正確的(C)
A 光譜響應(yīng)范圍從紫外到紅外幾乎都有相同的響應(yīng)
B 響應(yīng)時間為毫秒級
C 器件吸收光子的能量, 使其中的非傳導電子變?yōu)閭鲗щ娮?/p>
D 各種波長的輻射對于器件的響應(yīng)都有貢獻
45. 為了提高測輻射熱計的電壓響應(yīng)率，下列方法中不正確的是 （D）
A 將輻射熱計制冷 B 使靈敏面表面黑化
C 將輻射熱計封裝在一個真空的外殼里 D 采用較粗的信號導線
46.光譜光視效率V(505nm)=0.40730，波長為505nm、1mW的輻射光，其光通量 為
A 683lm B 0.683lm C 278.2 lm D 0.2782 lm （D）
47. 下列探測器的光－電響應(yīng)時間，由少數(shù)載流子的壽命決定： （A）
A 線性光電導探測器 B 光電二極管
C 光電倍增管 D 熱電偶和熱電堆
48. 給光電探測器加合適的偏置電路，下列說法不正確的是 (A )
A 可以擴大探測器光譜響應(yīng)范圍 B 可以提高探測器靈敏度
C 可以降低探測器噪聲 D 可以提高探測器響應(yīng)速度
49. 下列光源中哪一種光源，可作為光電探測器在可見光區(qū)的積分靈敏度測量標準光源： （C）
A 氘燈 B 低壓汞燈
C 色溫2856K的白熾燈 D 色溫500K的黑體輻射器
50. 克爾效應(yīng)屬于 （A）
A 電光效應(yīng) B 磁光效應(yīng)
C 聲光效應(yīng) D 以上都不是
51. 海水可以視為灰體。300K的海水與同溫度的黑體比較（A）
A 峰值輻射波長相同 B 發(fā)射率相同
C 發(fā)射率隨波長變化 D 都不能確定
52. 下列探測器最適合于作為光度量測量的探測器 （C）
A 熱電偶 B 紅外光電二極管
C 2CR113藍硅光電池 D 雜質(zhì)光電導探測器
二．簡答
1.可見光的波長、頻率和光子的能量范圍分別是多少？
波長：380~780nm 400~760nm
頻率：385T~790THz 400T~750THz
能量：1.6~3.2eV
2.發(fā)光二極管的優(yōu)點？
效率高、光色純、能耗小、壽命長、可靠耐用、應(yīng)用靈活、綠色環(huán)保。
3.氣體放電光源的特點？
效率高、結(jié)構(gòu)緊湊、壽命長、輻射光譜可選擇
4.半導體激光器特點？
體積小、重量輕、易調(diào)制、功效低、波長覆蓋廣、能量轉(zhuǎn)換效率高。
5.光體放點的發(fā)光機制？
氣體在電場作用下激勵出電子和離子，成為導電體。離子向陰極、電子向陽極運動 ，從電場中得到能量，它們與氣體原子或分子碰撞時會激勵出新的電子離子，也會使氣體原子受激，內(nèi)層電子躍遷到高能級。受激電子返回基態(tài)時，就輻射出光子來。
6.激光的特點？
激光的高亮度、高方向性、高單色性和高度時間空間相干性是前述一般光源所望塵莫及的，它為光電子技術(shù)提供了極好的光源。
7.量子井LD的特性？
閾值電流很低、譜線寬度窄，改善了頻率Chirp、調(diào)制速率高、溫度特性好
8.超高亮度彩色LED的應(yīng)用？
LED顯示屏、交通信號燈、景觀照明、手機應(yīng)用、LED顯示屏的背光源。
9.激光測距的優(yōu)點？
�。�1）測距精度高（2）體積小、重量輕（3）分辨率高、抗干擾能力強
10.激光雷達的優(yōu)點？
�。�1）激光高度的方向性，使光束發(fā)散角很小、分辨能力大大提高。
�。�2）抗干擾能力強
�。�3）體積小質(zhì)量輕
11.簡要描述一下黑體光譜輻射出射度與波長和溫度的關(guān)系？
�。�1）對應(yīng)任一溫度單色輻射出射度隨波長連續(xù)變化，且只有一個峰值，對應(yīng)不同溫度的曲線不相交。
�。�2）單色輻射出射度和輻射出射度均隨溫度升高而增大。
（3）單色輻射出射度和峰值隨溫度升高而短波方向移動。
電子類行業(yè)公司筆試題 3
一、填空題（共20分，每空1分）
1.供電質(zhì)量包括供電的可靠性、電壓質(zhì)量、及電壓波形質(zhì)量四個方面，220V單相供電電壓允許偏差。
2.保護接地電阻不允許超過Ω，重復接地電阻一般小于Ω。
3.變壓器箱體上的油管起作用。
4.點動控制電路和連續(xù)運轉(zhuǎn)控制電路的區(qū)別在于是否有觸點。
5.在電路中，熱繼電器只能作保護，不能作短路保護。
6.低壓斷路器在電路中可起保護、保護、和失壓保護作用。
7.根據(jù)轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)的不同，三相異步電動機分有式和兩類，其中電動機能獲得較好的啟動與調(diào)速性能。
8.在三相異步電動機正反轉(zhuǎn)控制電路中互鎖的方法有互鎖和互鎖。
9.采用接觸器的控制電路具有失壓保護功能。
10.是描述轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速與旋轉(zhuǎn)磁場轉(zhuǎn)速差異程度的，即電動機的異步程度。旋轉(zhuǎn)磁場轉(zhuǎn)速n0= 。
11.電動機銘牌額定電壓是指額定狀態(tài)運行時，定子回路所加的，額定電流是指額定狀態(tài)運行時，定子回路輸入的`。
二、判斷題（共10分，每題1分）
1.安全用電包括供電系統(tǒng)安全、用電設(shè)備安全及人身安全三個方面。（）
2．只要任意調(diào)換三相異步電動機的兩根電源線，就可以改變電動機轉(zhuǎn)向。（）
3.使用螺口燈泡時，應(yīng)將螺口接零線，燈頭頂部電極接相線。（）
4.同一低壓配電網(wǎng)中，設(shè)備可以根據(jù)具體需要選擇保護接地措施或保護接零措施。（）
5.變壓器不僅可以變換交流電壓，還可以變換直流電壓。（）
6.負載減小時，變壓器的一次電流將減小。（）
7.欲使四個停止按鈕都能控制接觸器斷電，則它們的常閉觸點應(yīng)并聯(lián)接到接觸器的線圈電路中。（）
8.閘刀開關(guān)拉閘前，應(yīng)盡量使電動機處于空載。（）
9.三相異步電動機直接啟動電路中，若有熱繼電器作過載保護，可不用熔斷器來保護電動機。（）
10.在用接觸器控制的三相異步電動機連續(xù)運轉(zhuǎn)的線路中，不具有失壓保護功能。（）
三、選擇題（共10分，每題1分）
1.在潮濕的工程點，只允許使用（）進行照明。
A．12V手提燈B. 36V手提燈C. 220V電壓
2.變壓器中起傳遞電能作用的是（）。
A.主磁通B.漏磁通C.電流D.電壓
3.電流互感器運行時，接近（）。
A.空載狀態(tài)，二次繞組不準開路B.空載狀態(tài)，二次繞組不準短路
C.短路狀態(tài)，二次繞組不準短路D.短路狀態(tài)，二次繞組不準開路
4.接觸器在控制電路中的文字符號是（）。
A.FR B. KM C. FU D. SB
5.保護接零是將設(shè)備金屬外殼或構(gòu)架與（）做良好連接。
A.接地裝置B.電網(wǎng)零線C.任意電源線
6.在電路中起到短路保護、失壓保護和過載保護的電器是（）。
A.接觸器B.熔斷器C.熱繼電器D.斷路器
7.熔斷器主要用作三相異步電動機的（）。
A.過壓保護B.過載保護C.短路保護D.欠壓保護
8.正反轉(zhuǎn)控制電路中互鎖的作用是（）。
A.防止正轉(zhuǎn)、反轉(zhuǎn)不能順利過渡B.防止主電路電源短路
C.防止控制電路電源短路D.防止電動機不能停車
9.一臺三相異步電動機帶恒定負載運行，將負載去掉后，電動機穩(wěn)定運行的轉(zhuǎn)速將（）。
A.等于同步轉(zhuǎn)速B.大于同步轉(zhuǎn)速C.小于同步轉(zhuǎn)速
10.某電容分相式單相異步電動機啟動繞組和工作繞組規(guī)格相同，反轉(zhuǎn)方法是（）
A.將兩根電源進線（相線和中性線）對調(diào)B.將電容器換接到另一繞組上
C.將工作繞組和啟動繞組的首端與末端一起對調(diào)D.將工作繞組或啟動繞組的首端與末端對調(diào)
四、簡答題（共30分，每題10分）
1.電動機旋轉(zhuǎn)磁場的旋轉(zhuǎn)方向由什么決定？怎樣改變旋轉(zhuǎn)磁場的旋轉(zhuǎn)方向？
2.接觸器由那些主要部分構(gòu)成？其輔助常開、常閉觸點通常在控制電路中起何作用？
3.簡述影響變壓器外特性的因素，哪些是固定功率損耗或可變功率損耗
五、計算題（共20分，每題10分）
1.已知Y-160M1-2型三相異步電動機額定轉(zhuǎn)速n2=2930r/min，求同步轉(zhuǎn)速n0及磁極對數(shù)P
2.一臺單相變壓器，一次電壓U1=220V，k=12，求二次電壓U2，若I2=2A，求一次電流I1
六、應(yīng)用題（共30分，每題10分）
1.請繪制有漏電保護措施的自耦降壓變壓器接線圖，并標明輸入、輸出端。
2.請繪制直管熒光燈接線圖，并標明器件名稱。
3.請繪制三相異步電動機直接啟�？刂齐娐罚⒄f明其控制過程。要求具有啟動連續(xù)運行、停車、過載保護FR功能。
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